时间：2025/12/26 23:25:35
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IXYH90N65A5是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的高性能高压MOSFET晶体管，专为高效率电源转换应用设计。该器件采用先进的Superjunction（超级结）技术，能够在650V的高漏源电压下实现极低的导通电阻和优异的开关性能。这种技术通过优化电荷平衡结构，显著降低了器件在高电压下的导通损耗，同时保持了快速的开关速度，使其非常适合用于现代高功率密度和高能效要求的应用场景。IXYH90N65A5封装于TO-247-3形式中，具备良好的热传导能力和机械稳定性，适用于需要高效散热的设计。其广泛应用于工业电源、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、服务器电源以及电动汽车充电系统等领域。此外，该MOSFET具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了系统在异常工作条件下的可靠性。器件还具备良好的抗dv/dt能力，有助于减少误触发风险，提升整体系统的稳定性与安全性。
型号：IXYH90N65A5
制造商：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
技术：Superjunction
漏源电压（Vds）：650 V
连续漏极电流（Id）：48 A
脉冲漏极电流（Idm）：192 A
导通电阻Rds(on)：90 mΩ（最大值，@ Vgs = 10 V）
栅源阈值电压（Vgs(th)）：3 V 至 4 V
输入电容（Ciss）：4000 pF（典型值，@ Vds = 50 V）
输出电容（Coss）：280 pF（典型值，@ Vds = 50 V）
反向恢复时间（trr）：30 ns（典型值）
最大工作结温（Tj）：150 °C
封装类型：TO-247-3
安装类型：通孔
IXYH90N65A5采用英飞凌领先的CoolMOS? CFD系列技术，基于超级结架构，实现了在650V额定电压下的卓越性能表现。其核心优势在于极低的单位面积导通电阻，这直接转化为更低的导通损耗，从而提高整个电源系统的能效水平。尤其是在连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）电路中，该器件能够有效降低传导损耗并减少散热需求，支持更高功率密度的设计目标。此外，该MOSFET具备出色的开关特性，包括较低的栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），这意味着驱动电路所需的功耗更小，有利于简化驱动设计并提升系统整体效率。
另一个关键特性是其增强的抗雪崩能力，使得IXYH90N65A5在面对电压瞬变或负载突变等异常工况时仍能保持稳定运行，提高了系统的鲁棒性。器件内部结构经过优化，减少了寄生参数的影响，从而抑制了振铃现象和电磁干扰（EMI）的产生，有助于满足严格的EMI合规要求。同时，该MOSFET表现出良好的热稳定性，在高温环境下仍能维持可靠的电气性能，适合在恶劣工业环境中长期运行。TO-247-3封装提供了优良的热传导路径，便于连接散热器以实现高效的热量管理。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备可靠的隔离性能，适用于对安全性和环保性有严格要求的应用场合。
IXYH90N65A5广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适用于需要高效率和高可靠性的电力电子设备。其典型应用场景包括通信电源、数据中心服务器电源、工业自动化设备中的DC-DC转换器以及光伏（PV）太阳能逆变器中的升压级电路。在这些系统中，该MOSFET常被用作主开关器件或PFC级开关，以实现高效的能量转换和稳定的输出电压控制。由于其具备高耐压和低损耗特性，也常见于不间断电源（UPS）系统中，用于提升备用电源的能量利用率和响应速度。此外，在电动汽车车载充电机（OBC）和充电桩电源模块中，IXYH90N65A5因其优异的动态性能和热稳定性而受到青睐。其快速的开关能力和低Qg参数有助于减少驱动损耗，配合先进的控制策略可进一步优化系统效率。在电机驱动领域，该器件可用于中小功率变频器的输出级，提供精确的电流控制和高效的能量回馈功能。总体而言，凡是需要在650V电压等级下实现高效、紧凑且可靠电源设计的场合，IXYH90N65A5都是一个极具竞争力的选择。
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"IPP65R900CFDA",
"IKW65R900CF",
"IPA65R900CFD"
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