时间：2025/8/5 14:14:23
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IXYH8N250CHV是一款由IXYS公司制造的高电压、大电流功率MOSFET，适用于需要高效率和高性能的电源管理应用。该器件采用了先进的制造技术，以提供卓越的电气性能和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：2500V
连续漏极电流(Id)：8A
功耗(Pd)：200W
栅源电压(Vgs)：±30V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXYH8N250CHV具有高击穿电压和大电流处理能力，使其非常适合用于高电压应用。该器件的低导通电阻可以减少导通状态下的功率损耗，提高整体效率。此外，其热性能优良，能够在高温环境下稳定工作。
该MOSFET采用了坚固的设计，具有良好的短路耐受能力，适用于对可靠性要求较高的应用场合。TO-247封装提供了良好的散热性能，有助于提高器件的稳定性。此外，该器件的快速开关特性也有助于降低开关损耗，提高系统效率。
IXYH8N250CHV广泛应用于各种高电压和大功率电子设备中，例如工业电源、电力电子变换器、电机驱动器和高电压直流电源供应器。此外，该器件也非常适合用于电动汽车充电设备、太阳能逆变器以及不间断电源（UPS）系统。
IXFP8N250P, IRGPC40K
