类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：88A
　　漏源电压（VDS）：300V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大18mΩ
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散（PD）：300W

IXYH88N30P的主要特性之一是其低导通电阻，这使得该器件在高电流应用中能够实现较低的功率损耗。导通电阻的最大值为18mΩ，确保了在高负载条件下仍能保持较高的效率。
　　此外，该器件具有高漏源电压额定值（300V），使其适用于高电压电源转换应用，如开关电源（SMPS）和逆变器设计。漏极电流额定值为88A，提供了充足的电流承载能力，满足高功率需求。
　　IXYH88N30P的栅源电压额定值为±20V，这在设计驱动电路时提供了较大的灵活性，同时保证了栅极控制的稳定性。其高功率耗散能力（300W）和宽工作温度范围（-55°C至175°C）使其能够在严苛的环境条件下稳定运行，适用于高温工业环境和高可靠性要求的应用。
　　该MOSFET采用TO-247封装，这种封装形式具有良好的散热性能，有助于提高器件的热稳定性和长期可靠性。TO-247封装也便于安装在散热器上，进一步提升散热效率，确保在高功率应用中的稳定运行。

IXYH88N30P常用于各种高功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、工业电机驱动和逆变器系统。其高电流和高电压特性使其成为需要高效能功率转换的理想选择。
　　在开关电源中，该器件可用于主开关或同步整流器，以提高电源转换效率并减少热量产生。在UPS系统中，IXYH88N30P可以用于直流-交流逆变器部分，提供稳定的输出波形和高效的能量转换。
　　该MOSFET还适用于工业电机控制应用，例如变频器和伺服驱动器，能够提供稳定的电流控制和快速的开关响应，从而提高系统的整体性能和效率。
　　此外，IXYH88N30P也可用于电动汽车充电设备、太阳能逆变器和其他可再生能源系统中，支持高效率的能量转换和管理。

IXFH88N30P, IRFP4668, APT88N30B2