时间：2025/8/6 4:16:22
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IXYH75N65C3H1 是英飞凌（Infineon）公司推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用了先进的技术，具备低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性，使其成为各种高效率电源系统中的理想选择。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：650V
连续漏极电流(Id)：75A（在Tc=100℃）
导通电阻(Rds(on))：最大值约为0.027Ω
栅极电压(Vgs)：±20V
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
封装类型：TO-247
功率耗散(Pd)：300W
漏源击穿电压(BVdss)：650V
漏极电流(Id)峰值：180A
IXYH75N65C3H1的主要特性包括低导通电阻（Rds(on)），这可以降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了英飞凌的CoolMOS?技术，具有卓越的开关性能，减少了开关过程中的能量损耗。此外，它还具备优异的热稳定性和高可靠性，能够在高温环境下稳定工作。
CoolMOS?技术的引入使得IXYH75N65C3H1在高频开关应用中表现出色，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、UPS（不间断电源）和光伏逆变器等多种应用场景。其高耐压能力和大电流承载能力也使其在高压系统中表现出色。
该MOSFET采用TO-247封装，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。此外，其栅极驱动电压范围较宽（±20V），便于与各种驱动电路匹配。内置的体二极管提供了反向电流保护功能，增强了系统的稳定性。
IXYH75N65C3H1常用于各种高性能电源系统中，如服务器电源、通信电源、工业电源、太阳能逆变器、电池管理系统和电机驱动器等。在这些应用中，它能够有效提高电源转换效率，降低系统功耗，并提升整体系统的稳定性和可靠性。此外，由于其优异的高频开关性能，也适用于高频变换器和数字电源设计。
IXFH75N65X2H1 | SPW75N65CFB-12 | IXFN75N65CF
