时间：2025/8/5 18:34:35
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IXYH75N65C3D1 是英飞凌（Infineon）推出的一款高性能功率MOSFET器件，采用CoolMOS?技术，适用于高效率开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）等应用。该器件具备低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，支持高频率开关操作，有助于提升系统效率并减小整体尺寸。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大漏极电流(Id)：75A
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.075Ω
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C至150°C
栅极电荷(Qg)：典型值为120nC
最大功耗(Pd)：300W
IXYH75N65C3D1 的主要特性之一是采用了英飞凌的CoolMOS?技术，这种技术显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提高了整体能效。该器件的低Rds(on)特性有助于减少功率损耗并降低工作温度，提高系统的稳定性和可靠性。此外，其高电流容量和优异的热管理能力使其适用于高功率密度设计。
该MOSFET还具备较高的短路耐受能力和过载保护能力，确保在严苛的工作条件下仍能稳定运行。其TO-247封装形式有助于实现良好的散热性能，并支持多种PCB安装方式，适用于各种工业和消费类电源应用。
IXYH75N65C3D1 主要用于需要高效能功率转换的场合，例如开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）模块、工业电源系统、LED照明驱动电源、太阳能逆变器和UPS不间断电源等。由于其高耐压和高电流能力，它也非常适合用于需要高可靠性和高效率的电源管理方案。
IXFH75N65X2D1, IPW65R075CFD7, STD75N65M5
