时间：2025/8/6 5:36:06
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IXYH60N90C3 是英飞凌（Infineon）推出的一款高性能功率MOSFET器件，采用CoolMOS技术，适用于高效率、高频率的电源转换应用。该器件具备较低的导通电阻和开关损耗，能够在高电压环境下稳定工作，是工业电源、服务器电源、适配器和LED照明等应用的理想选择。
类型：功率MOSFET
漏源电压(Vds)：900V
漏极电流(Id)：60A（Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：典型值0.175Ω
栅极电荷(Qg)：典型值86nC
工作温度范围：-55℃~150℃
封装形式：TO-247
技术：CoolMOS C3系列
IXYH60N90C3 采用英飞凌先进的CoolMOS C3技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)）和优化的开关性能，从而显著降低导通损耗和开关损耗。该器件支持高频率工作，适用于需要高效率的电源系统。其900V的漏源击穿电压使其适用于高电压输入环境，如通用AC/DC电源转换器。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下长时间稳定运行。其封装形式为TO-247，便于散热和安装，适用于工业级应用需求。
在动态性能方面，IXYH60N90C3的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动损耗，提高系统的整体能效。其内部结构优化了电磁干扰（EMI）特性，有助于简化外围电路设计。该器件还具备较强的短路耐受能力，提高了系统在异常情况下的安全性。此外，由于采用了英飞凌成熟的功率半导体制造工艺，IXYH60N90C3在高温下的性能衰减较小，确保了在恶劣工作条件下的稳定运行。
该MOSFET在设计上兼顾了导通损耗和开关损耗的平衡，使其在高负载和高频率条件下仍能保持良好的效率。适用于诸如LLC谐振变换器、PFC（功率因数校正）电路、DC-DC转换器等高频功率转换拓扑。同时，该器件的电气参数具有较高的重复性和一致性，适用于大批量生产中的自动化装配和质量控制。
IXYH60N90C3广泛应用于各类高效率电源系统，如服务器电源、通信电源、工业电源、LED照明驱动、太阳能逆变器以及适配器等。该器件特别适合用于PFC（功率因数校正）电路、LLC谐振变换器、DC-DC转换器和AC-DC电源模块。在高电压输入环境中，例如全球通用输入电压（85VAC~265VAC）的开关电源设计中，IXYH60N90C3能够提供优异的转换效率和稳定性。此外，在电动汽车充电设备、UPS不间断电源以及智能电网相关设备中，该MOSFET也具有广泛的应用前景。
IXFH60N90Q2, IXFH60N90T, IXYH60N90C3H
