时间：2025/8/6 7:57:27
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IXYH40N90C3D1 是英飞凌（Infineon）生产的一款高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用CoolMOS技术，适用于高效率、高频率的功率转换应用。该器件具有较低的导通电阻和优异的开关性能，能够有效降低开关损耗并提高系统效率。IXYH40N90C3D1 主要面向工业电源、服务器电源、电信设备电源、太阳能逆变器、电池充电器等高性能要求的电源系统。该器件采用TO-247封装，具有良好的散热性能，适用于大功率应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：900V
连续漏极电流(Id)：40A
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.048Ω（在Vgs=10V）
栅极电荷(Qg)：约160nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-247
功率耗散(Pd)：约220W
IXYH40N90C3D1 是基于英飞凌领先的CoolMOS技术制造的高性能功率MOSFET，具备极低的导通电阻和优异的开关特性，显著降低了导通损耗和开关损耗。其导通电阻仅为0.048Ω，在高电流条件下仍能保持较低的导通压降，有助于提高系统效率并减少散热需求。此外，该器件的栅极电荷低至160nC，使得在高频开关应用中具备优异的性能表现，适用于要求高效能、高可靠性的电源系统设计。
该MOSFET具有高达900V的漏源击穿电压，适用于高输入电压的应用，如工业电源、服务器电源和电信设备电源系统。其TO-247封装结构具备良好的散热性能，能够有效处理高达220W的功率耗散，适用于高功率密度设计。此外，该器件具有较高的抗雪崩能力，增强了在瞬态电压冲击下的可靠性，适用于恶劣工作环境。
IXYH40N90C3D1 主要应用于高效率的电源系统中，包括工业电源、服务器电源、电信设备电源、太阳能逆变器、电池充电器等。由于其高耐压、低导通电阻和优异的开关性能，该MOSFET适用于高频开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、PFC（功率因数校正）电路、UPS（不间断电源）系统、电机驱动器等功率电子设备。此外，该器件也可用于新能源系统，如光伏逆变器和储能系统的功率开关部分。
IXFH40N90Q2T | SPA40N90C3D1 | IPW60R045C7
