类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：900V
　　漏极电流（Id）：40A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.27Ω
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-247

IXYH40N90C3 具备出色的开关性能和导通性能，使其适用于高功率密度的设计。其低导通电阻（Rds(on)）可以降低功率损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟槽栅技术，提供更低的开关损耗和更高的热稳定性。
　　此外，IXYH40N90C3 具有较高的耐压能力，漏源电压达到900V，能够承受瞬态电压冲击，提高系统的可靠性和安全性。其±20V的栅极电压耐受能力也使得栅极驱动设计更加灵活，适用于各种驱动电路。
　　该MOSFET采用TO-247封装，具备良好的散热性能，适用于高功率应用中的热管理需求。同时，该器件的封装设计符合RoHS环保标准，适用于现代电子产品对环保的要求。

IXYH40N90C3 广泛应用于各种高功率电子系统中，例如工业电源、不间断电源（UPS）、逆变器、电机驱动器以及汽车电子系统。其高耐压和低导通电阻特性使其成为开关电源和功率因数校正（PFC）电路的理想选择。
　　在工业自动化系统中，IXYH40N90C3 可用于驱动大功率负载，如交流电机、电磁阀和加热元件。其高可靠性和耐久性确保系统在恶劣工作环境下依然能够稳定运行。
　　此外，该器件也适用于新能源领域，如太阳能逆变器和风力发电系统中的功率转换电路。其优异的导通和开关性能有助于提高能源转换效率，降低系统能耗。

IXFH40N90Q2, IRGP4068DPBF, FCH90N90F