时间：2025/8/6 4:34:41
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IXYH16N250CV1HV 是由 IXYS 公司生产的一款高电压、高功率的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高电压隔离和高效率的功率转换系统。该器件具备优异的热稳定性和可靠性，适合在高电压和高电流环境下工作。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：2500V
最大栅源电压（Vgs）：±30V
最大连续漏极电流（Id）：16A
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
导通电阻（Rds(on)）：典型值为 2.1Ω
封装类型：TO-247
功率耗散（Ptot）：250W
IXYH16N250CV1HV 的核心特性在于其高耐压能力和优异的热管理性能。该器件的漏源电压高达 2500V，能够承受极端的电压应力，适合应用于高压电源转换器和电机驱动系统。其导通电阻较低，在高电流运行时能够减少功率损耗，提高系统效率。
此外，该 MOSFET 提供了良好的热稳定性，能够在高功率耗散条件下保持稳定的性能。其 TO-247 封装设计便于安装在散热器上，有效提升散热效果，延长器件的使用寿命。该器件的栅极驱动电路设计简单，适用于各种高频开关应用。
IXYH16N250CV1HV 还具备较强的短路和过载保护能力，能够在瞬态条件下维持稳定运行。这使得它在电力电子系统中具有很高的可靠性，适用于不间断电源（UPS）、工业电机控制、高压直流电源等领域。
IXYH16N250CV1HV 广泛应用于高压电源转换器、不间断电源（UPS）、高压直流电源、工业电机驱动系统以及高功率开关电源等领域。该器件的高电压耐受能力和高效能特性使其成为高压逆变器和变频器的理想选择。
IXFH16N250P, IXTP16N250HV
