时间：2025/8/5 16:34:48
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IXYH16N250C是一款由英飞凌（Infineon）生产的高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高电压、高功率的开关电源系统中。该器件具有较高的耐压能力和较大的电流承载能力，适合用于工业电源、不间断电源（UPS）、电机控制以及高电压DC/DC转换器等场合。
类型：MOSFET（N沟道）
漏源电压（VDS）：2500V
连续漏极电流（ID）：16A
导通电阻（RDS(on)）：典型值约为1.5Ω（根据具体温度和条件可能变化）
栅极阈值电压（VGS(th)）：通常在4V至6V之间
最大功率耗散（PD）：约100W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
IXYH16N250C具有高电压耐受能力，能够承受高达2500V的漏源电压，适用于高压功率转换系统。该MOSFET采用先进的沟槽栅技术，提供了较低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了能效。此外，其高电流承载能力和良好的热稳定性使其适用于高功率密度的设计。该器件的栅极驱动电压范围宽，便于与各种驱动电路兼容。TO-247封装形式不仅便于安装和散热，还能在恶劣环境中保持稳定的工作性能。另外，该器件具备良好的抗短路能力，提高了系统的可靠性。
IXYH16N250C广泛应用于需要高压和高功率处理能力的场合，如高压开关电源、不间断电源（UPS）、逆变器系统、电机驱动器、高压直流（HVDC）转换器以及工业自动化控制系统。此外，它也适用于各种电力电子设备中的功率开关元件。
IXFH16N250P，IXYS公司的高性能高压MOSFET，具有相似的电气特性和封装形式，适用于替代IXYH16N250C。
