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IXYH100N65C3 发布时间 时间:2025/8/6 5:35:07 查看 阅读:24

IXYH100N65C3是一款由英飞凌(Infineon)推出的高性能功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,属于CoolMOS?系列。该系列MOSFET以其高效率、低导通损耗和高开关频率特性而著称,适用于各种高功率密度和高效率要求的应用场景。IXYH100N65C3采用TO-247封装,具备优异的热管理和电气性能,适用于工业电源、开关电源(SMPS)、太阳能逆变器、电动汽车充电系统等高功率应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):650V
  漏极电流(Id):100A
  导通电阻(Rds(on)):典型值为10mΩ
  栅极电荷(Qg):约160nC
  封装形式:TO-247
  工作温度范围:-55°C至150°C
  最大功耗(Ptot):300W

特性

IXYH100N65C3具有多项先进的技术特性,确保其在高功率应用中的稳定性和可靠性。首先,其CoolMOS技术显著降低了导通损耗和开关损耗,提高了整体能效。相较于传统硅基MOSFET,CoolMOS在相同导通电阻下具备更高的击穿电压能力和更低的寄生电容,从而支持更高的开关频率和更小的外围元件尺寸。
  其次,该器件的低Rds(on)特性(典型值10mΩ)有助于减少导通状态下的功率损耗,提高系统效率。此外,TO-247封装设计提供了良好的散热性能,使得MOSFET能够在高电流和高温环境下稳定运行。
  IXYH100N65C3还具备出色的短路耐受能力和雪崩能量承受能力,增强了器件在严苛工况下的可靠性。其内部结构优化设计降低了热阻,提高了热循环寿命,适用于对可靠性和寿命要求较高的工业级和汽车级应用。
  最后,该MOSFET的栅极驱动特性经过优化,支持与常见的MOSFET驱动器和控制器兼容,简化了电路设计和集成过程。这些特性使其成为高性能功率转换系统中的理想选择。

应用

IXYH100N65C3广泛应用于各种高功率电子系统中,尤其是在需要高效率、高功率密度和高可靠性的场合。典型应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC电源模块、服务器电源、电信电源设备、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等。
  在工业电源领域,该MOSFET可用于构建高效率的电源转换模块,支持更高的开关频率和更小的磁性元件,从而减小整体系统体积并提高能效。
  在可再生能源系统中,如光伏逆变器和储能系统,IXYH100N65C3可用于主功率开关,提供高效的能量转换和稳定的运行性能。
  此外,该器件也适用于电动汽车充电设备中的功率因数校正(PFC)电路和DC-DC变换器,满足新能源汽车基础设施对高可靠性和高效率的严格要求。

替代型号

IPW60R004C7, STF100N65M5, SPW47N60CFD7, IXYH80N65C3

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IXYH100N65C3参数

  • 现有数量440现货
  • 价格1 : ¥96.51000管件
  • 系列GenX3?, XPT?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)200 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)420 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.3V @ 15V,70A
  • 功率 - 最大值830 W
  • 开关能量2.15mJ(开),840μJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷164 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值28ns/106ns
  • 测试条件400V,50A,3 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商器件封装TO-247(IXTH)