时间：2025/8/5 13:33:38
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IXYH100N65B3 是英飞凌（Infineon）生产的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的技术设计，具有优异的导通和开关性能。该器件专为高效率功率转换应用而设计，例如电源供应器、电机驱动和逆变器系统。其高耐压能力和大电流容量使其在高功率应用中表现出色。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：650V
栅源电压(Vgs)：±30V
漏极电流(Id)：100A（连续）
导通电阻(Rds(on))：最大值约8.5mΩ（典型值取决于Vgs）
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C至150°C
功率耗散：约300W
IXYH100N65B3 具备多个显著的技术特性。首先，它的低导通电阻 (Rds(on)) 可显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的高耐压能力（650V）使其适用于高电压功率转换应用，例如工业电源和变频器。该MOSFET采用先进的封装技术，具备良好的热管理性能，能够在高电流和高温度环境下稳定运行。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统的响应速度。此外，该器件具备较高的抗雪崩能力和过载能力，增强了在严苛工作条件下的可靠性和耐用性。
此外，IXYH100N65B3 的栅极驱动要求较低，能够与常见的驱动电路兼容，降低了设计复杂度。同时，其封装形式（TO-247）便于安装和散热，适用于各种高功率应用环境。
IXYH100N65B3 适用于多种高功率和高频应用，包括但不限于以下领域：工业电源、不间断电源（UPS）、电机驱动器、逆变器、DC-DC转换器、焊接设备、感应加热装置以及太阳能逆变系统。其高耐压、大电流和低导通损耗的特性，使其在电力电子系统中表现出色，尤其适合对效率和稳定性有较高要求的应用场景。
IPW60R008SI-1K, STW100N65M5, FCH070N650S3
