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IXYA8N250CHV 发布时间 时间:2025/8/5 20:03:12 查看 阅读:46

IXYA8N250CHV是一款高压高速功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Littelfuse公司生产。该器件设计用于高频率开关应用,具备低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力,适用于需要高效能和高可靠性的功率电子系统。IXYA8N250CHV采用TO-247封装形式,具有良好的热管理和电气性能,适合在高功率密度环境中使用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):250V
  连续漏极电流(ID):8A
  栅极阈值电压(VGS(th)):约4.5V @ 250μA
  导通电阻(RDS(on)):约0.3Ω @ VGS=10V
  最大功耗(PD):约100W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-247

特性

IXYA8N250CHV具有低导通电阻(RDS(on))的特点,这使得它在导通状态下能够减少功率损耗,提高系统的整体效率。此外,该器件的开关速度非常快,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、电源管理系统和电机控制电路。其高耐压能力(250V)使其能够承受较高的电压应力,适用于中高压应用环境。该MOSFET还具备良好的热稳定性,能够在高温条件下稳定运行,提高了系统的可靠性和寿命。TO-247封装提供了良好的散热性能,确保在高电流工作条件下仍能保持较低的温度。
  另外,IXYA8N250CHV的栅极驱动需求较低,能够在较宽的栅极电压范围内稳定工作,这使得它与多种驱动电路兼容,简化了设计流程。该器件还具备一定的短路耐受能力,可以在突发短路情况下提供一定的保护作用。

应用

IXYA8N250CHV广泛应用于各种功率电子系统中,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、UPS不间断电源、电机驱动器、逆变器、照明控制系统和工业自动化设备。由于其高耐压和快速开关特性,它特别适用于需要高频开关和高效能的电路设计。例如,在开关电源中,IXYA8N250CHV可用于主开关器件,以提高电源转换效率;在电机控制中,它可以作为功率开关,实现对电机速度和扭矩的精确控制;在逆变器系统中,该器件可用于将直流电转换为交流电,适用于太阳能逆变器或电动车驱动系统。

替代型号

IXFN8N250P、IXFH8N250P、IRFP460、STP8NK250Z

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IXYA8N250CHV参数

  • 现有数量120现货
  • 价格1 : ¥126.01000散装
  • 系列XPT?
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)2500 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)29 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)70 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)4V @ 15V,8A
  • 功率 - 最大值280 W
  • 开关能量2.6mJ(开),1.07mJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷45 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值11ns/180ns
  • 测试条件1250V,8A,15 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)5 ns
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装TO-263HV