IXYA8N250CHV是一款高压高速功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Littelfuse公司生产。该器件设计用于高频率开关应用,具备低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力,适用于需要高效能和高可靠性的功率电子系统。IXYA8N250CHV采用TO-247封装形式,具有良好的热管理和电气性能,适合在高功率密度环境中使用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):250V
连续漏极电流(ID):8A
栅极阈值电压(VGS(th)):约4.5V @ 250μA
导通电阻(RDS(on)):约0.3Ω @ VGS=10V
最大功耗(PD):约100W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-247
IXYA8N250CHV具有低导通电阻(RDS(on))的特点,这使得它在导通状态下能够减少功率损耗,提高系统的整体效率。此外,该器件的开关速度非常快,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、电源管理系统和电机控制电路。其高耐压能力(250V)使其能够承受较高的电压应力,适用于中高压应用环境。该MOSFET还具备良好的热稳定性,能够在高温条件下稳定运行,提高了系统的可靠性和寿命。TO-247封装提供了良好的散热性能,确保在高电流工作条件下仍能保持较低的温度。
另外,IXYA8N250CHV的栅极驱动需求较低,能够在较宽的栅极电压范围内稳定工作,这使得它与多种驱动电路兼容,简化了设计流程。该器件还具备一定的短路耐受能力,可以在突发短路情况下提供一定的保护作用。
IXYA8N250CHV广泛应用于各种功率电子系统中,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、UPS不间断电源、电机驱动器、逆变器、照明控制系统和工业自动化设备。由于其高耐压和快速开关特性,它特别适用于需要高频开关和高效能的电路设计。例如,在开关电源中,IXYA8N250CHV可用于主开关器件,以提高电源转换效率;在电机控制中,它可以作为功率开关,实现对电机速度和扭矩的精确控制;在逆变器系统中,该器件可用于将直流电转换为交流电,适用于太阳能逆变器或电动车驱动系统。
IXFN8N250P、IXFH8N250P、IRFP460、STP8NK250Z