时间：2025/8/6 5:19:57
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IXYA50N65C3是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由IXYS公司制造。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和高功率处理能力的特点，适用于需要高效能功率转换的电力电子应用。该器件采用TO-247封装，便于安装和散热，适合高功率应用场景。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：650V
连续漏极电流（Id）：50A
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.125Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXYA50N65C3具备一系列高性能特性，使其适用于多种功率转换和电源管理应用。其高耐压（650V）能力使其适用于高电压输入环境，同时保持稳定的工作性能。低导通电阻（0.125Ω）确保了在高电流工作条件下较低的功率损耗，提高整体效率。此外，该MOSFET具有快速开关特性，适合用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机控制电路。器件内部采用先进的硅技术，提供更高的可靠性和耐用性，同时在高温环境下保持稳定工作。TO-247封装形式不仅有助于提高散热效率，还能简化PCB布局和安装。该器件还具有较高的抗雪崩能力，能够在突发高电压情况下保持稳定运行。
IXYA50N65C3广泛应用于各种高功率电子设备，包括开关电源（SMPS）、逆变器、DC-AC转换器、电机驱动器、工业自动化设备、UPS系统以及太阳能逆变器等。其高耐压和大电流能力使其成为高效率电源转换系统的理想选择，同时适用于需要高可靠性和稳定性的工业级应用。
IXFB50N65C3, IXFN50N65C3
