时间：2025/8/6 5:20:21
阅读：24
IXXX200N60C3是一款由英飞凌（Infineon）生产的高性能功率MOSFET晶体管，采用CoolMOS技术，适用于高功率密度和高效率的电源转换应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高击穿电压和优异的热稳定性。
类型：功率MOSFET
最大漏极电流（ID）：200A
漏源击穿电压（VDS）：600V
导通电阻（Rds(on)）：最大值为19毫欧（典型值16毫欧）
栅极电荷（Qg）：典型值为90nC
封装类型：TO-247
IXXX200N60C3基于英飞凌的CoolMOS技术，提供超低的导通电阻，从而显著降低导通损耗。该MOSFET具有优化的开关性能，能够支持高频工作，从而减少外围元器件的尺寸和成本。
该器件的热阻较低，具备良好的散热性能，适合在高温环境下运行。此外，其内部结构设计减少了寄生电容，提高了开关速度和系统效率。
为了增强可靠性，IXXX200N60C3具备强大的短路耐受能力，并且在极端工作条件下仍能保持稳定运行。该MOSFET还具备良好的雪崩能量耐受能力，确保在异常负载条件下不会损坏。
此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于现代绿色能源系统。
IXXX200N60C3广泛应用于高功率电源系统，如服务器电源、通信电源、工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备等。其高效能和高可靠性的特点使其成为硬开关和软开关拓扑结构中的理想选择，例如LLC谐振转换器、半桥和全桥电路等。
在新能源领域，如储能系统和直流-直流转换器中，IXXX200N60C3也表现出色，能够显著提高系统的整体效率和稳定性。
IPW60R019C7, STY220N65M5, SPD240N60C3
