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IXXX160N65B4 发布时间 时间:2025/8/6 8:13:59 查看 阅读:42

IXXX160N65B4 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高效能开关和高电流承载能力的应用中。该器件采用 TO-247 封装,具有低导通电阻、高耐压和高可靠性的特点,适用于电源转换、电机控制、逆变器和工业自动化等领域。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏极电流 (ID):160A
  最大漏极-源极电压 (VDS):650V
  最大栅极-源极电压 (VGS):±30V
  导通电阻 (RDS(on)):典型值为 14.5mΩ
  最大功耗 (PD):500W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-247

特性

IXXX160N65B4 的主要特性包括极低的导通电阻,有助于降低功率损耗,提高系统效率。其高耐压能力(650V)使其适用于高电压工作环境,确保器件在极端条件下稳定运行。该 MOSFET 采用先进的平面技术,提供良好的热稳定性与抗短路能力。此外,它还具备快速开关特性,适用于高频开关应用,如 DC-DC 转换器、UPS 逆变器和电机驱动器。
  该器件的 TO-247 封装形式具有良好的热管理性能,便于安装在散热器上以提高散热效率。其栅极驱动设计兼容标准逻辑电平,简化了与控制电路的接口设计。IXXX160N65B4 还具备高雪崩能量承受能力,增强了在过压或负载突变情况下的可靠性。

应用

IXXX160N65B4 主要应用于高功率电源系统,包括但不限于:开关电源(SMPS)、逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动器、工业自动化控制系统、电焊设备和高功率 LED 照明驱动电路。由于其高电流和高耐压特性,它也非常适合用于电动汽车充电系统、太阳能逆变器以及储能系统中的功率转换模块。

替代型号

IXFN160N65X2、IXFH160N65B3、IXFN160N65B4、STY160N65M5、TK160E65W、SiHP160N65EF

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IXXX160N65B4参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥161.38000管件
  • 系列GenX4?, XPT?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)310 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)860 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)1.8V @ 15V,160A
  • 功率 - 最大值940 W
  • 开关能量3.3mJ(开),1.88mJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷425 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值52ns/220ns
  • 测试条件400V,80A,1 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3 变式
  • 供应商器件封装PLUS247?-3