时间：2025/8/6 8:13:59
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IXXX160N65B4 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能开关和高电流承载能力的应用中。该器件采用 TO-247 封装，具有低导通电阻、高耐压和高可靠性的特点，适用于电源转换、电机控制、逆变器和工业自动化等领域。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (ID)：160A
最大漏极-源极电压 (VDS)：650V
最大栅极-源极电压 (VGS)：±30V
导通电阻 (RDS(on))：典型值为 14.5mΩ
最大功耗 (PD)：500W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
IXXX160N65B4 的主要特性包括极低的导通电阻，有助于降低功率损耗，提高系统效率。其高耐压能力（650V）使其适用于高电压工作环境，确保器件在极端条件下稳定运行。该 MOSFET 采用先进的平面技术，提供良好的热稳定性与抗短路能力。此外，它还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器、UPS 逆变器和电机驱动器。
该器件的 TO-247 封装形式具有良好的热管理性能，便于安装在散热器上以提高散热效率。其栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，简化了与控制电路的接口设计。IXXX160N65B4 还具备高雪崩能量承受能力，增强了在过压或负载突变情况下的可靠性。
IXXX160N65B4 主要应用于高功率电源系统，包括但不限于：开关电源（SMPS）、逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、工业自动化控制系统、电焊设备和高功率 LED 照明驱动电路。由于其高电流和高耐压特性，它也非常适合用于电动汽车充电系统、太阳能逆变器以及储能系统中的功率转换模块。
IXFN160N65X2、IXFH160N65B3、IXFN160N65B4、STY160N65M5、TK160E65W、SiHP160N65EF
