时间：2025/8/6 7:40:43
阅读：26
IXXK160N65C4是一款由IXYS公司制造的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高电流和高电压能力的应用，例如电源转换、电机控制和工业自动化。这款MOSFET采用TO-247封装，具有低导通电阻和高可靠性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：160A
最大漏极-源极电压：650V
栅极-源极电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：0.045Ω
功率耗散：300W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装：TO-247
IXXK160N65C4 MOSFET具有低导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗并提高效率。该器件还具有高电流承载能力和优良的热性能，能够在高功率条件下稳定工作。此外，该MOSFET的快速开关特性使其适用于高频应用。其耐用的TO-247封装提供良好的散热性能，并确保在恶劣环境中的可靠性。
这款MOSFET还具有较低的栅极电荷，从而减少开关损耗，使其适合在高频率开关电路中使用。同时，其高雪崩能量耐受能力保证了在异常工作条件下的稳健性。
IXXK160N65C4广泛应用于高功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、UPS系统以及工业自动化和控制系统。它也常用于DC-DC转换器和电池充电器等需要高效能功率开关的场合。由于其高可靠性和良好的热性能，该器件非常适合在需要长时间连续运行的工业设备中使用。
IXFN160N65X2、IRFP4668、SiHP160N65EF
