时间：2025/8/5 21:42:36
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IXXH110N65B4是一款由Infineon Technologies制造的高性能N沟道功率MOSFET，主要用于高功率和高频率应用。该器件采用先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻和出色的开关性能，适用于工业电机驱动、电源转换器、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等多种应用场景。
类型：N沟道
最大漏极电流：110A
最大漏源电压：650V
导通电阻（Rds(on)）：65mΩ
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
功率耗散：300W
栅极电荷：130nC
IXXH110N65B4的主要特性之一是其低导通电阻，仅为65mΩ，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该MOSFET的高击穿电压为650V，使其能够在高电压环境下稳定运行。此外，其300W的高功率耗散能力支持在高负载条件下可靠工作。
该器件采用了Infineon的沟槽技术，优化了开关性能，减少了开关损耗。其130nC的栅极电荷值有助于实现更快的开关速度，从而提高整体系统效率。此外，IXXH110N65B4的TO-247封装设计提供了良好的散热性能和机械稳定性。
该MOSFET的工作温度范围宽，从-55°C到150°C，适用于各种严苛环境。其110A的最大漏极电流能力使其适用于高功率密度设计，同时确保了长期运行的稳定性和可靠性。
IXXH110N65B4广泛应用于工业自动化系统中的电机驱动器，提供高效的功率控制。在电源转换器和不间断电源（UPS）系统中，该器件能够提供高效率和稳定的性能。此外，它还被用于太阳能逆变器，以实现高效的能量转换。该MOSFET也适用于焊接设备、电动车辆充电系统和高功率LED照明驱动器。
IXFN110N65X2FA, STY110N65M5, FCH110N65S3
