类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：40V
　　最大栅源电压 Vgs：±20V
　　最大连续漏极电流 Id：140A（在 Tc=25℃）
　　导通电阻 Rds(on)：最大 2.5mΩ（在 Vgs=10V）
　　最大功耗：200W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

IXUC140N04 是一款高性能功率 MOSFET，具备以下几个关键特性：
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高整体系统的效率，这在高频率开关应用中尤为重要。该器件的 Rds(on) 最大仅为 2.5mΩ，并且在 Vgs=10V 的标准驱动电压下即可实现完全导通，兼容常见的栅极驱动电路。
　　其次，该 MOSFET 支持高达 140A 的连续漏极电流，能够承受较大的负载，适用于高功率密度设计。其 TO-263 封装形式不仅提供了良好的散热性能，还能适应较高的环境温度，确保在恶劣工作条件下依然保持稳定运行。
　　此外，IXUC140N04 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高开关速度，从而适用于高频 DC-DC 转换器等应用。其具备较高的热稳定性和抗短路能力，增强了器件在过载或异常工况下的可靠性。
　　最后，该器件的工作温度范围广泛（-55℃ 至 +175℃），适用于工业级和汽车电子系统等严苛环境。

IXUC140N04 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. DC-DC 转换器：如同步降压、升压及反相转换器中，作为主开关器件，提升效率并减小系统尺寸。
　　2. 电池管理系统（BMS）：用于充放电控制、电池均衡等环节，提供高效的功率控制能力。
　　3. 电机驱动与控制：在无刷直流电机（BLDC）、伺服电机等应用中，作为功率开关，实现高效、精确的电机控制。
　　4. 负载开关与电源管理：用于负载切换、热插拔控制等场合，提供快速响应和低损耗的开关功能。
　　5. 工业自动化与电源模块：如 UPS、工业电源、LED 照明驱动等，满足高可靠性与高效能需求。
　　6. 汽车电子系统：包括车载充电器（OBC）、DC-DC 转换模块、电池保护电路等，符合汽车级工作温度与可靠性要求。

IXFN140N04, IRF140N04, SiS140N04, IPW140N04