时间：2025/8/5 17:16:25
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IXTY90N055T2-TRL是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由IXYS公司生产。该器件设计用于高电流、高效率的电源管理应用，例如DC-DC转换器、电机控制、电源开关和电池管理系统等。该MOSFET采用TO-220封装，具备低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，适用于中高功率应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：55V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：90A
导通电阻(Rds(on))：最大值约为4.8mΩ（在Vgs=10V时）
功耗(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-220
IXTY90N055T2-TRL具有多项优异特性，包括低导通电阻，有助于降低导通损耗并提高系统效率。其高电流承载能力（高达90A）使其适用于大功率应用，如电机驱动和电源转换器。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持在10V至20V之间工作，确保了其在不同驱动电路中的兼容性。同时，其高耐压能力（55V Vds）使其适用于多种低压高功率系统，如电动工具、电动汽车辅助系统和储能设备。
IXTY90N055T2-TRL的封装形式为TO-220，便于散热，适用于标准的PCB安装工艺，具备良好的机械强度和热稳定性。该器件符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品的设计。
IXTY90N055T2-TRL广泛应用于多个领域，包括但不限于：工业自动化控制系统的电源管理模块、DC-DC降压/升压转换器、高功率电机控制器、电动工具和电池供电设备的电源开关、汽车电子中的功率管理系统等。此外，该器件也常用于太阳能逆变器、储能系统以及高功率LED照明驱动电路中。
IXTY80N055T2-TRL, IRLB8726PbF, FDP8876, SiR872DP
