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IXTY8N65X2 发布时间 时间:2025/8/6 5:16:37 查看 阅读:11

IXTY8N65X2 是一款由 IXYS 公司制造的高性能 N 沟道功率 MOSFET,主要用于需要高电压和高电流的应用场景。这款 MOSFET 采用了先进的高压技术,具有较低的导通电阻和较高的开关性能。它适用于各种电源管理和功率转换应用,例如电源供应器、DC-DC 转换器、马达控制和工业自动化系统。IXTY8N65X2 的设计旨在提供高效的功率传输,并具有良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型:N 沟道
  最大漏源电压 (Vds):650 V
  最大栅源电压 (Vgs):±30 V
  最大连续漏极电流 (Id):8 A
  导通电阻 (Rds(on)):0.85 Ω(最大值)
  功耗 (Ptot):125 W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-220

特性

IXTY8N65X2 MOSFET 具有多个关键特性,使其在功率应用中表现出色。
  首先,其高耐压能力达到 650V,能够满足高电压应用的需求,同时确保器件在极端条件下的稳定性。其次,该器件的导通电阻较低,最大值为 0.85Ω,这有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,其最大连续漏极电流为 8A,适用于中高功率应用。
  IXTY8N65X2 还具有良好的热性能,其 125W 的总功耗能力确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。该器件采用 TO-220 封装,便于安装和散热管理,适用于多种 PCB 设计环境。
  另外,其栅极驱动电压范围较宽,最大栅源电压为 ±30V,允许灵活的驱动电路设计,并提高了抗干扰能力。该 MOSFET 在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内均可稳定工作,适用于各种严苛的工业环境。
  总体而言,IXTY8N65X2 是一款可靠性高、性能优越的功率 MOSFET,适用于需要高效能和高稳定性的功率电子系统。

应用

IXTY8N65X2 主要用于以下几类应用:
  首先,在电源供应器中,该 MOSFET 可用于 AC-DC 转换器或 DC-DC 转换器中的开关元件,以提高转换效率并降低能耗。其次,在马达控制领域,该器件可用于 H 桥式驱动电路,实现对直流马达或步进马达的高效控制,适用于工业自动化设备和机器人系统。
  此外,IXTY8N65X2 还适用于太阳能逆变器和电池管理系统,用于能量转换和管理。其高耐压和高电流能力使其成为新能源应用中的理想选择。
  在照明系统中,该 MOSFET 可用于 LED 驱动电路,提供稳定的电流控制,确保光源的高效运行。
  最后,在工业控制和自动化系统中,IXTY8N65X2 可用于高频开关电路,实现对各种负载的精确控制,提高系统的响应速度和稳定性。

替代型号

STP8NK60Z, FQP8N60C, IRF8N50C

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IXTY8N65X2参数

  • 现有数量20现货
  • 价格1 : ¥23.69000管件
  • 系列Ultra X2
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)500 毫欧 @ 4A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)12 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)800 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)150W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252AA
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63