时间：2025/12/24 19:33:28
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IXTY26P10T 是一款由 IXYS 公司制造的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于需要高可靠性和高效能的功率电子应用。IXTY26P10T 以其出色的热性能和电流处理能力而著称，是电源管理、转换器和逆变器等应用的理想选择。
类型：P 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 (Vds)：100V
最大栅源电压 (Vgs)：±20V
最大连续漏极电流 (Id)：26A
导通电阻 (Rds(on))：典型值为 0.045Ω（在 Vgs = 10V 时）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-220AB
功率耗散：160W
IXTY26P10T 具有多种特性，使其在各种功率应用中表现出色。
首先，该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），这减少了导通状态下的功率损耗并提高了效率。此外，它能够在高电压和大电流条件下稳定工作，适合高功率密度设计。
其次，IXTY26P10T 采用了先进的硅技术和封装设计，提供了优异的热管理性能，从而延长了器件的使用寿命并提高了系统的可靠性。
另外，该 MOSFET 还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行，防止因电压尖峰而导致的损坏。
最后，IXTY26P10T 的 TO-220 封装形式便于安装和散热，适用于各种 PCB 设计和功率模块应用。
IXTY26P10T 常用于需要高效率和高可靠性的功率电子设备中。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制、逆变器、电池管理系统以及工业自动化和控制系统。此外，它还可用于汽车电子、可再生能源系统（如太阳能逆变器）以及 UPS（不间断电源）系统等应用。
IXTY26P10TA、IRF9Z34N、IRF9540N、FDP36P10
