时间：2025/12/28 9:25:53
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IXTY15N20T是一款由IXYS公司生产的高电压、高电流能力的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机控制、DC-DC转换器以及其他需要高效能功率开关的场合。该器件采用TO-247封装形式，具备优良的热性能和电气性能，适用于中等功率级别的工业和消费类电子产品。其额定漏源电压（VDS）为200V，连续漏极电流（ID）在25°C时可达15A，具备较低的导通电阻（RDS(on)），有助于降低导通损耗，提高系统整体效率。IXTY15N20T的设计注重于快速开关能力和良好的雪崩耐受性，使其在高频开关应用中表现出色。此外，该MOSFET具有内置的栅极电阻，有助于抑制寄生振荡，提升系统稳定性。其结构采用了先进的平面垂直工艺技术，确保了器件在高温环境下的可靠性与长期稳定性。该器件符合RoHS环保要求，适合现代绿色电子产品的设计需求。
型号：IXTY15N20T
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：TO-247
最大漏源电压（VDS）：200V
最大栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）@25°C：15A
连续漏极电流（ID）@100°C：9.5A
脉冲漏极电流（ IDM）：60A
最大功耗（PD）：200W
导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：0.18Ω
导通电阻（RDS(on)）@VGS=5V：0.23Ω
阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
输入电容（Ciss）：1300pF
输出电容（Coss）：470pF
反向恢复时间（trr）：48ns
工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C ~ +150°C
IXTY15N20T具备优异的开关特性，能够在高频开关环境中保持低开关损耗，从而显著提升电源系统的转换效率。其快速的开关速度得益于优化的内部结构设计和较低的栅极电荷（Qg），这使得器件在硬开关和软开关拓扑中均能表现出良好的动态响应能力。同时，较低的输出电容（Coss）减少了关断过程中的能量损耗，进一步增强了高频工作的适应性。
该器件拥有出色的热性能表现，TO-247封装提供了较大的散热面积，能够有效传导热量至外部散热器，确保在高负载条件下仍能维持稳定的工作温度。此外，其较高的最大功耗（PD=200W）和宽泛的结温工作范围（-55°C至+150°C）使其适用于严苛的工业环境，如变频器、焊接设备或不间断电源（UPS）系统。
IXTY15N20T还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下吸收一定的能量而不发生损坏，提升了系统在异常工况下的鲁棒性。这一特性对于防止因电感负载突然断开而产生的电压尖峰至关重要，尤其在电机驱动和电磁阀控制中尤为重要。
其较低的导通电阻（典型值0.18Ω @ VGS=10V）意味着在导通状态下产生的I2R损耗较小，有助于减少发热并提升整体能效。此外，内置的栅极电阻可有效抑制高频噪声引起的栅极振荡，避免误触发或器件损坏，提高了电路的EMI兼容性和运行可靠性。
IXTY15N20T广泛应用于多种电力电子领域，尤其适合中高功率的开关电源设计，包括AC-DC和DC-DC转换器，特别是在需要200V耐压等级的应用中表现出色。它可用于离线式电源、工业电源模块以及电信电源系统中作为主开关器件或同步整流器。
在电机控制方面，该MOSFET适用于直流电机驱动、步进电机控制器以及小型交流变频驱动装置，其高电流承载能力和快速响应特性有助于实现精确的速度和扭矩控制。
此外，IXTY15N20T也常用于逆变器电路，例如太阳能微型逆变器、UPS逆变模块以及便携式电源设备中，作为核心的功率切换元件。其良好的热管理和雪崩耐受能力使其在这些高可靠性要求的系统中成为优选器件。
其他应用还包括电子镇流器、感应加热设备、电池充电管理系统以及各类工业自动化控制系统中的功率开关环节。由于其具备较高的安全工作区（SOA），即使在短时过载情况下也能保持稳定运行，因此非常适合用于需要高可靠性的工业级产品设计。
IXFH15N20P
IXFN15N20P
IRFPG50
STP16NF20
FQP15N20
