IXTY14N60X2 时间：2025/8/6 4:20:19 阅读：15

IXTY14N60X2 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其设计用于高电压、高电流应用场景，如电源转换器、电机控制、逆变器和工业自动化系统。该器件具有低导通电阻、高耐压和高可靠性的特点。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：14 A
　　功率耗散（PD）：180 W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247
　　导通电阻（RDS(on)）：0.38 Ω（最大）
　　阈值电压（VGS(th)）：4.0 V（典型）

特性

IXTY14N60X2 是一款高性能的功率 MOSFET，其核心特性之一是具备低导通电阻，这使得在高电流工作状态下，器件的功率损耗显著降低，从而提高了系统效率。该器件的高耐压能力达到 600 V，使其非常适合用于高压电源转换应用，如开关电源（SMPS）、电机驱动器和逆变器系统。此外，该 MOSFET 的封装形式为 TO-247，具有良好的热管理和散热性能，能够在高温环境下稳定运行。
　　该器件的栅极驱动电压范围为 ±20 V，具有较高的栅极抗扰度，能够在复杂电磁环境中保持稳定的导通和关断性能。其阈值电压为 4.0 V 左右，确保在标准驱动电路下能够可靠地导通。此外，IXTY14N60X2 还具有良好的短路耐受能力和较高的雪崩能量吸收能力，进一步增强了其在高应力工作条件下的可靠性。
　　在制造工艺上，该 MOSFET 采用了先进的平面硅栅工艺，具有良好的一致性与稳定性，适合大批量工业应用。由于其优异的电气特性和热稳定性，IXTY14N60X2 成为了许多高压、高功率电子系统中的首选器件。

应用

IXTY14N60X2 主要应用于高压功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电机控制驱动器、逆变器、电焊机、照明镇流器以及工业自动化控制系统。其高耐压和低导通电阻的特性使其在 DC-AC 逆变器和功率因数校正（PFC）电路中表现优异。此外，该器件也常用于高电压直流电源转换系统和电动工具、变频器等高可靠性设备的电源管理模块。