时间：2025/8/5 19:04:31
阅读：33
IXTY01N100D-TRL是一款由IXYS公司生产的高电压、低电流N沟道MOSFET功率晶体管。这款器件主要设计用于需要高电压操作和高可靠性的应用，例如电源转换、马达控制、逆变器以及工业自动化系统。其1000V的漏源击穿电压（VDS）和先进的沟槽栅极技术使其在高电压应用中表现优异。TRL后缀表示该器件采用卷带包装，适用于自动化贴片生产。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：1000V
最大栅源电压(VGS)：±30V
最大漏极电流(ID)：1.0A（连续）
最大功耗(PD)：40W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
导通电阻(RDS(on))：典型值1.4Ω @ VGS=10V
输入电容(Ciss)：约110pF
封装形式：TO-220AB
极数：三引脚
IXTY01N100D-TRL具有多项优异特性，使其在高电压和中等功率应用场景中表现突出。首先，其1000V的漏源电压能力使其适用于需要极高电压耐受能力的系统，如高压电源转换器和高电压马达驱动器。其次，该MOSFET采用先进的沟槽栅极技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体能效。
此外，该器件支持高达±30V的栅极电压，增强了其在不同驱动电路中的兼容性，并提高了栅极控制的灵活性。器件的TO-220AB封装不仅具备良好的热管理能力，还方便散热片安装，以应对高功耗场景下的热量积聚问题。
该MOSFET的输入电容较低（约110pF），有助于减少开关损耗，使其适用于高频开关应用。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适应了工业级和部分军用级的工作环境，确保在极端温度条件下的稳定运行。
最后，TRL标识表明该器件采用卷带包装，适用于自动化SMT生产线，提高了制造效率，降低了生产成本。
IXTY01N100D-TRL广泛应用于需要高电压耐受能力但功率要求相对较低的场合。例如，在高压DC-DC转换器、反激式电源、高压LED驱动器以及工业自动化控制系统中，该MOSFET可以作为高效的开关元件使用。此外，它也适用于诸如感应加热、电焊设备和电动工具等需要耐高压、高可靠性的系统中。在马达控制领域，该器件可用于小型高压马达的驱动，如空调压缩机或工业风扇的控制电路。由于其具备良好的热稳定性和较高的耐压能力，IXTY01N100D-TRL也常用于电源管理系统中的过压保护电路或作为高压侧开关。
SiHP01N100DD, FQP1N100, STP1N100, IRFPG50
