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IXTX6N200P3HV 发布时间 时间:2025/8/6 3:28:44 查看 阅读:27

IXTX6N200P3HV 是由 IXYS 公司生产的一款高功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于高电压和高电流的开关电路中。该器件采用 TO-247 封装,具备良好的热管理和电流承载能力,适用于如电源转换器、电机控制、逆变器和工业自动化设备等应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):6A
  最大漏源电压(VDS):200V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):典型值为2.8Ω
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-247

特性

IXTX6N200P3HV 具备多种优异的电气和物理特性,使其在高压高功率应用中表现出色。其主要特性包括:
  1. **高电压耐受能力**:该MOSFET的最大漏源电压(VDS)达到200V,能够承受较高的电压应力,适用于高压电源和功率转换应用。
  2. **低导通电阻(RDS(on))**:典型值为2.8Ω的导通电阻,能够显著降低导通状态下的功率损耗,提高系统的整体效率。
  3. **过温保护性能**:由于其良好的热设计和材料选择,该器件在高负载工作条件下依然能保持稳定的性能,并具有一定的过温保护能力。
  4. **高速开关性能**:IXTX6N200P3HV 在导通和关断过程中具有较快的切换速度,适用于高频开关应用,例如DC-DC转换器和PWM控制电路。
  5. **栅极驱动兼容性**:最大栅源电压为±20V,允许使用标准的逻辑电平驱动器(如微控制器或专用MOSFET驱动IC)进行控制,提高了系统设计的灵活性。
  6. **坚固的封装设计**:TO-247封装不仅提供了良好的机械稳定性,还具备优异的散热性能,适合在高温环境下工作。

应用

IXTX6N200P3HV 主要应用于需要高电压、高电流切换能力的电力电子设备中,例如:
  1. **电源管理系统**:包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC整流器,用于工业设备、服务器和通信基础设施。
  2. **电机驱动和控制**:在直流电机驱动、步进电机控制器和伺服电机系统中,作为高效率的开关元件。
  3. **逆变器系统**:用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)和电动车辆中的功率逆变器模块。
  4. **工业自动化设备**:作为PLC(可编程逻辑控制器)、工业机器人和自动化生产线中的功率控制元件。
  5. **照明系统**:在高亮度LED照明和智能照明控制电路中,用于调光和功率调节。
  6. **测试与测量设备**:用于高电压测试设备、功率分析仪和电子负载等测试仪器。

替代型号

STP6NK20Z, FQP6N20C, IRF630G

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IXTX6N200P3HV参数

  • 现有数量4现货
  • 价格1 : ¥550.85000管件
  • 系列Polar P3?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)2000 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4 欧姆 @ 3A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)143 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3700 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)960W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247PLUS-HV
  • 封装/外壳TO-247-3 变式