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IXTX400N15X4 发布时间 时间:2025/8/5 20:44:08 查看 阅读:23

IXTX400N15X4是一款由Littelfuse公司生产的功率MOSFET,属于高电压和高电流处理能力的晶体管器件。这款MOSFET专为高效功率转换和高频率开关应用而设计,适用于工业控制、电源管理以及电动汽车等对性能要求较高的领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流:400A
  最大漏源电压:1500V
  封装类型:TO-247
  导通电阻(Rds(on)):3.2mΩ
  栅极电压范围:±20V
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

IXTX400N15X4 MOSFET具有极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低导通损耗并提高系统效率。其高耐压能力(1500V)使其适用于高压电源和高能量环境。该器件的封装设计(TO-247)有助于提高散热性能,确保在高功率操作下的稳定性。
  此外,这款MOSFET具备优异的雪崩击穿耐受能力,能够应对瞬时电压尖峰,从而提升系统可靠性。其栅极驱动电压范围较宽(±20V),兼容多种驱动电路设计,同时具备快速开关特性,适用于高频率的开关电源应用。
  在制造工艺上,IXTX400N15X4采用了先进的硅技术,实现了低开关损耗和高热稳定性。其设计优化了电磁干扰(EMI)性能,并具备较高的短路耐受能力,从而进一步提升了在严苛环境下的适用性。

应用

该MOSFET主要应用于工业电机驱动、高压直流电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及高功率开关电源等领域。其高电流和高电压能力使其非常适合用于大功率电力电子设备中的主开关或逆变器模块。

替代型号

IXFN400N15X4, IXTH400N15X4

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IXTX400N15X4参数

  • 现有数量1,274现货30Factory
  • 价格1 : ¥350.75000管件
  • 系列Ultra X4
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)150 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)400A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.1 毫欧 @ 100A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)430 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)14500 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1500W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装PLUS247?-3
  • 封装/外壳TO-247-3 变式