您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXTX24N100

IXTX24N100 发布时间 时间:2025/8/6 9:43:23 查看 阅读:25

IXTX24N100是一款由Littelfuse公司生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛用于高功率开关应用中。该器件采用TO-247封装形式,具有优异的导通和开关性能,适用于电源转换、电机控制和工业自动化等领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流:24A
  最大漏-源电压:100V
  导通电阻(Rds(on)):0.115Ω
  栅极电荷:62nC
  最大功耗:150W
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

IXTX24N100具备低导通电阻,可显著降低导通损耗,提高系统效率。其高耐压能力(100V)使其适用于多种高电压应用场景。此外,该MOSFET的开关速度快,有助于减小开关损耗,提高开关频率。器件的热阻较低,能够有效散发热量,提高长期运行的可靠性。封装形式为TO-247,便于安装和散热设计。
  该MOSFET的栅极驱动要求相对较低,能够在常见的10V驱动电压下完全导通,适用于多种驱动电路。此外,IXTX24N100具有良好的抗雪崩能力,能够承受一定的过载和瞬态电压冲击,增强了系统的稳定性。

应用

IXTX24N100广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、UPS系统以及工业自动化设备中。其高效率和高可靠性使其成为高性能电源管理和功率控制电路的理想选择。此外,该器件也可用于电池管理系统、负载开关和高功率LED驱动电路。

替代型号

IRFZ44N, FDPF4410, STP24N10

IXTX24N100推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXTX24N100参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)1000V(1kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C24A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C400 毫欧 @ 12A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5.5V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs267nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds8700pF @ 25V
  • 功率 - 最大568W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装PLUS247?-3
  • 包装管件