类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：450V
　　连续漏极电流(Id)：1.4A
　　功耗(Pd)：100W
　　栅极-源极电压(Vgs)：±30V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220AB
　　导通电阻(Rds(on))：1.4Ω（最大值）
　　开启电压(Vgs(th))：2V至4V
　　反向恢复时间(trr)：未指定

IXTX1R4N450HV具有多项特性，使其适用于高电压和高效率的应用场景。首先，该器件的漏极-源极电压高达450V，能够承受较高的电压应力，适合应用于高压转换器和电源模块。其次，该MOSFET的连续漏极电流为1.4A，能够在较高电流条件下稳定运行，满足中小型功率应用的需求。
　　此外，IXTX1R4N450HV的导通电阻最大为1.4Ω，这有助于降低导通损耗，提高整体效率。同时，该器件的栅极-源极电压范围为±30V，具有较好的栅极驱动兼容性，可与多种驱动电路配合使用。其开启电压范围为2V至4V，确保了良好的导通性能，同时避免因过低的开启电压导致误触发。
　　在热性能方面，IXTX1R4N450HV的功耗为100W，具备良好的散热能力，能够在高温环境下保持稳定运行。其工作温度范围为-55°C至150°C，适应性较强，能够在恶劣的环境条件下正常工作。最后，该器件采用TO-220AB封装，便于安装和散热管理，适合用于需要高可靠性的应用场景。

IXTX1R4N450HV广泛应用于多个领域，包括工业电源、照明系统、电机控制、高压转换器以及消费类电子产品。在工业电源中，该器件可用于高压直流-直流转换器、功率因数校正(PFC)电路以及高压逆变器。在照明系统中，IXTX1R4N450HV可作为高压LED驱动电路的核心元件，提供高效稳定的电流控制。
　　在电机控制应用中，该器件可用于高压电机驱动器和变频器，实现精确的电机调速和节能控制。此外，IXTX1R4N450HV还可用于消费类电子产品，如空调、洗衣机和冰箱等家电的高压电源管理模块，提供可靠的功率开关功能。由于其优异的高压特性和良好的导通性能，IXTX1R4N450HV在各种高压和高效率需求的应用中表现出色。

IXTP1R4N450HV, IXTH1R4N450HV