时间：2025/8/5 20:02:01
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IXTV60N30T是一款由IXYS公司制造的N沟道增强型功率MOSFET晶体管。该器件设计用于高电压、高电流应用，具有出色的导通性能和快速开关特性，适用于电源转换、电机控制、UPS系统以及工业自动化设备等领域。该MOSFET采用TO-247封装，便于安装和散热。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A
最大漏源电压（VDS）：300V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.058Ω
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1V至4.0V（在ID=250μA时）
最大功耗（PD）：200W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-247
IXTV60N30T具备低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。其快速开关特性使其适用于高频开关应用，从而减小外部滤波器元件的尺寸和成本。此外，该器件具有高雪崩能量耐受能力，增强了在严苛工作环境下的可靠性。
该MOSFET还具有优异的热稳定性，能够在高功率密度环境下保持良好的性能。TO-247封装提供了良好的散热性能，使得器件在高电流工作条件下仍能维持较低的结温。此外，IXTV60N30T的栅极驱动电压范围较宽，支持与多种驱动电路兼容，提高了设计的灵活性。
IXTV60N30T广泛应用于各类功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、逆变器、电机驱动器、不间断电源（UPS）以及工业控制系统。其高耐压和大电流能力也使其适用于新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电系统中的功率转换模块。
IXFH60N30Q、IRF2807、FDP60N30、STP60NF30
