时间：2025/8/6 6:00:07
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IXTV30N50PS 是一款由 Littelfuse（原 IXYS）制造的 N 沟道功率 MOSFET，专为高电压和高电流的应用设计。该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的热稳定性，适用于工业电源、开关电源（SMPS）、逆变器、电机驱动以及各种高功率电子系统。其封装形式为 TO-247，具备良好的散热性能，以适应高功率密度的设计需求。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流（Id）：30 A
漏-源电压（Vds）：500 V
栅-源电压（Vgs）：±20 V
导通电阻（Rds(on)）：0.18 Ω（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
功率耗散（Pd）：200 W
漏极-源极击穿电压（BVDSS）：500 V
栅极电荷（Qg）：73 nC（典型值）
输入电容（Ciss）：1300 pF（典型值）
IXTV30N50PS 的设计使其在高电压和大电流环境下表现优异。首先，它的低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。
其次，该器件的高击穿电压（500 V）使其能够安全应用于高压系统中，例如太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和高压直流电源转换系统。
此外，IXTV30N50PS 采用了先进的平面 MOSFET 技术，具有良好的热稳定性和抗过载能力。其 TO-247 封装形式不仅提供了较大的散热面积，而且易于安装在散热器上，有助于提升器件在高功率条件下的可靠性。
该器件的栅极驱动特性也较为优化，栅极电荷（Qg）为 73nC，这意味着在高频开关应用中，其驱动损耗相对较低，适合用于高频开关电源设计。
另外，IXTV30N50PS 的工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C，适用于各种严苛的工业和户外环境，确保其在极端温度下的稳定运行。
IXTV30N50PS 广泛应用于多种高功率电子设备和系统中。它常见于开关电源（SMPS）中，作为主开关器件，提供高效能和高可靠性。在太阳能逆变器中，该 MOSFET 被用于将直流电转换为交流电，供给电网或负载，其高压和高电流特性使其成为理想选择。
此外，IXTV30N50PS 也常用于电机控制和驱动器中，尤其是在需要高功率输出的工业自动化设备中。由于其良好的热性能和低导通电阻，它能够有效减少能量损耗并提高系统效率。
在不间断电源（UPS）系统中，该器件被用于 DC-AC 逆变器部分，确保在主电源故障时能够迅速切换至备用电源，提供持续的电力输出。
同时，它也适用于各类高功率 DC-DC 转换器、LED 照明驱动器以及高电压电池管理系统（BMS）。IXTV30N50PS 的宽工作温度范围也使其适用于户外和工业环境中的恶劣条件。
IXTP30N50P, FCP30N50, FDP30N50, STW30N50
