时间：2025/8/6 6:04:27
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IXTV26N60P是一款由IXYS公司制造的N沟道功率MOSFET。该器件适用于高功率和高频开关应用，广泛用于电源转换、电机控制和逆变器设计等领域。其封装形式为TO-247，具备良好的热性能和高电流承载能力。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大漏极电流(Id)：26A
导通电阻(Rds(on))：0.23Ω
栅极电荷(Qg)：80nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXTV26N60P采用了先进的平面技术，提供了较低的导通电阻和快速的开关特性，从而减少了开关损耗。其高雪崩能量耐受能力使其在高应力环境下也能稳定工作。此外，该器件具有较高的热稳定性和抗短路能力，能够在高功率密度应用中提供可靠的性能。
该MOSFET还具备优异的动态性能，适合用于高频开关电路，如DC-DC转换器、AC-DC电源和电机驱动系统。它的封装设计有助于提高散热效率，延长器件的使用寿命。
IXTV26N60P常用于各种高功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电机控制、逆变器、太阳能逆变器和电焊设备。由于其高可靠性和优异的开关特性，它也适用于工业自动化系统和汽车电子系统中的功率控制部分。
IRF260N, FDPF26N60ES, STP26NM60ND
