时间：2025/8/6 10:24:55
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IXTV250N075T是一款由Littelfuse公司生产的功率MOSFET晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件专为高功率、高效率的电源转换应用设计，具备优良的导通电阻、热性能和耐久性，适用于如电源供应器、DC-DC转换器、电机驱动器以及工业自动化设备等多种高功率电子系统。IXTV250N075T采用TO-247封装，具有良好的散热能力，确保在高电流负载下仍能稳定工作。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极电流（ID）：250A（最大值）
漏极-源极击穿电压（VDS）：75V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为2.4mΩ
栅极电荷（Qg）：约180nC
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-247
IXTV250N075T具备多项优异的电气和热性能，使其在高功率应用中表现出色。其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流条件下最小的功率损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，优化了开关特性和导通性能，同时具备良好的抗雪崩能力和过载承受能力。
该MOSFET具有较高的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。TO-247封装设计不仅提高了散热效率，还简化了安装和散热器的集成。此外，IXTV250N075T具备较低的栅极电荷（Qg），有助于降低开关损耗，提高整体系统的能效。
其结构设计也确保了器件在高频开关应用中的稳定性，适用于如同步整流、电机控制和高功率DC-DC转换器等场景。器件还具备良好的抗短路能力和较高的耐用性，适合在严苛工业环境中使用。
IXTV250N075T广泛应用于高功率电源系统，包括工业电源、DC-DC转换器、UPS不间断电源、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及高功率LED照明系统。由于其低导通电阻和高电流承载能力，特别适用于需要高效能和高可靠性的电力电子设备。此外，它也可用于电动汽车充电器、储能系统和可再生能源逆变器等高功率密度应用。
IXFH250N075T, IXFN250N075T
