类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：850V
　　最大漏极电流（Id）：230A
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.6mΩ
　　最大功耗（Ptot）：500W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：约5V
　　输入电容（Ciss）：约11000pF
　　封装形式：TO-247AC

IXTV230N85TS 具有出色的电气性能和热稳定性，使其在高功率应用中表现出色。其导通电阻非常低，约为 2.6mΩ，有助于降低导通损耗并提高系统效率。此外，该 MOSFET 支持高达 230A 的漏极电流，适用于高功率密度的设计。器件的封装设计优化了散热性能，使得在高负载下仍能保持良好的稳定性。
　　这款 MOSFET 的栅极阈值电压约为 5V，适用于常见的栅极驱动电路，确保可靠的开关操作。同时，该器件具有较高的短路耐受能力，增强了其在严苛环境下的可靠性。低输入电容（约 11000pF）也降低了驱动损耗，提高了高频工作的适应性。
　　在制造工艺方面，IXTV230N85TS 采用了 IXYS 的高压技术平台，确保在高压环境下仍能保持稳定的工作性能。此外，该器件具有良好的雪崩能量耐受能力，适用于可能出现瞬态电压冲击的应用场景。

IXTV230N85TS 主要应用于高功率电力电子系统中，例如工业电机驱动、电源转换器（如DC-DC转换器、AC-DC整流器）、太阳能逆变器、风力发电系统、电动汽车充电模块以及储能系统。其高电流、高电压能力使其成为大功率逆变器和变频器中的理想选择。此外，由于其低导通电阻和良好的热性能，IXTV230N85TS 也广泛用于高频开关电源和功率因数校正（PFC）电路中，以提高系统效率和可靠性。

IXFH230N85P, IXFN230N85T2, IXFK230N85T