IXTV200N10T 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率应用。该器件采用 TO-247 封装形式,具备低导通电阻、高电流容量和快速开关特性,适用于各种工业控制、电源转换和电机驱动系统。IXTV200N10T 的设计使其能够在高电压和高电流条件下稳定运行,提供良好的热稳定性和可靠性。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏极电流(Id):200A
最大漏-源电压(Vds):100V
最大栅-源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):≤ 3.7mΩ
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247
IXTV200N10T 功率 MOSFET 最显著的特点是其非常低的导通电阻(Rds(on)),这使得在高电流条件下导通损耗显著降低,从而提高了整体系统的效率。其 100V 的最大漏-源电压额定值使其适用于多种中高压应用,如 DC-DC 转换器、电机控制器和电源管理系统。此外,该器件的最大漏极电流可达 200A,表明其具备处理高功率负载的能力。
该 MOSFET 还具有快速开关特性,适用于高频开关应用,有助于减小外部滤波元件的尺寸并提高系统响应速度。TO-247 封装提供了良好的热管理能力,确保在高功率运行时能够有效散热。此外,IXTV200N10T 在极端温度条件下仍能保持稳定性能,工作温度范围为 -55°C 至 +175°C,适用于工业级和汽车级应用环境。
另一个重要特性是其高栅极阈值电压稳定性,最大栅-源电压为 ±20V,这有助于防止因栅极电压波动导致的误导通或损坏。此外,该器件具备较高的短路耐受能力,能够在瞬态条件下保持稳定运行,从而提高系统的整体可靠性和安全性。
IXTV200N10T 广泛应用于需要高功率密度和高效率的电子系统中。例如,在工业自动化设备中,它常用于电机驱动器和变频器中,以实现高效的能量转换和精确的电机控制。在电源系统中,该 MOSFET 可用于大功率开关电源、DC-DC 转换器和 UPS(不间断电源)系统中,以提高系统的转换效率和稳定性。
此外,IXTV200N10T 还适用于电动汽车和混合动力汽车的电源管理系统,例如车载充电器、电池管理系统(BMS)和电动机控制器等应用。由于其具备良好的热管理和高可靠性,该器件也适用于太阳能逆变器和储能系统中的功率转换电路。
在消费类电子设备中,虽然其高功率特性可能不适用于小型设备,但在高功率音频放大器和工业级音频系统中,IXTV200N10T 也能提供优异的性能表现。
IXFN200N10T, IXTK200N10T, IXTH200N10T