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IXTV200N10T 发布时间 时间:2025/8/6 6:16:39 查看 阅读:29

IXTV200N10T 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率应用。该器件采用 TO-247 封装形式,具备低导通电阻、高电流容量和快速开关特性,适用于各种工业控制、电源转换和电机驱动系统。IXTV200N10T 的设计使其能够在高电压和高电流条件下稳定运行,提供良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏极电流(Id):200A
  最大漏-源电压(Vds):100V
  最大栅-源电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):≤ 3.7mΩ
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247

特性

IXTV200N10T 功率 MOSFET 最显著的特点是其非常低的导通电阻(Rds(on)),这使得在高电流条件下导通损耗显著降低,从而提高了整体系统的效率。其 100V 的最大漏-源电压额定值使其适用于多种中高压应用,如 DC-DC 转换器、电机控制器和电源管理系统。此外,该器件的最大漏极电流可达 200A,表明其具备处理高功率负载的能力。
  该 MOSFET 还具有快速开关特性,适用于高频开关应用,有助于减小外部滤波元件的尺寸并提高系统响应速度。TO-247 封装提供了良好的热管理能力,确保在高功率运行时能够有效散热。此外,IXTV200N10T 在极端温度条件下仍能保持稳定性能,工作温度范围为 -55°C 至 +175°C,适用于工业级和汽车级应用环境。
  另一个重要特性是其高栅极阈值电压稳定性,最大栅-源电压为 ±20V,这有助于防止因栅极电压波动导致的误导通或损坏。此外,该器件具备较高的短路耐受能力,能够在瞬态条件下保持稳定运行,从而提高系统的整体可靠性和安全性。

应用

IXTV200N10T 广泛应用于需要高功率密度和高效率的电子系统中。例如,在工业自动化设备中,它常用于电机驱动器和变频器中,以实现高效的能量转换和精确的电机控制。在电源系统中,该 MOSFET 可用于大功率开关电源、DC-DC 转换器和 UPS(不间断电源)系统中,以提高系统的转换效率和稳定性。
  此外,IXTV200N10T 还适用于电动汽车和混合动力汽车的电源管理系统,例如车载充电器、电池管理系统(BMS)和电动机控制器等应用。由于其具备良好的热管理和高可靠性,该器件也适用于太阳能逆变器和储能系统中的功率转换电路。
  在消费类电子设备中,虽然其高功率特性可能不适用于小型设备,但在高功率音频放大器和工业级音频系统中,IXTV200N10T 也能提供优异的性能表现。

替代型号

IXFN200N10T, IXTK200N10T, IXTH200N10T

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IXTV200N10T参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchMV™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C200A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.5 毫欧 @ 50A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs152nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds9400pF @ 25V
  • 功率 - 最大550W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3(SMT)标片
  • 供应商设备封装PLUS220
  • 包装管件