时间：2025/12/24 18:02:44
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IXTV110N25TS是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于高功率开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及工业自动化设备中。该器件采用先进的Trench技术，提供高效率、低导通电阻和快速开关特性，适用于需要高可靠性和高效率的电力电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：110A（在25°C）
最大漏-源电压（VDS）：250V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.027Ω（最大值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-247
最大功耗（PD）：300W
IXTV110N25TS具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具有高耐压能力（250V），适用于中高压应用。此外，该MOSFET具有高电流承载能力，支持高达110A的连续漏极电流，适合大功率负载驱动。该器件还具备快速开关特性，减少了开关损耗，提高了响应速度，适用于高频开关应用。其TO-247封装提供良好的散热性能，确保在高功率环境下稳定运行。最后，IXTV110N25TS内置反向二极管（体二极管），可用于吸收感性负载的反向电动势，提升系统可靠性。
IXTV110N25TS广泛应用于多种高功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、逆变器、电机驱动器、工业自动化设备、LED照明驱动电源、不间断电源（UPS）以及电池管理系统（BMS）。该器件还可用于高功率负载开关、热插拔电源控制和功率因数校正（PFC）电路。
IXFH110N25P；IXFN110N25T；IXTP140N25T
