时间：2025/8/6 4:55:09
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IXTV102N20T 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频率应用。该器件采用 TO-247 封装形式，具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力的特点，适用于开关电源、电机控制、逆变器和工业自动化等应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：200V
最大漏极电流（ID）：100A
导通电阻（RDS(on)）：约 2.3mΩ
功率耗散（PD）：500W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
IXTV102N20T 具备出色的电气性能和热稳定性，其低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟槽栅技术，确保了优异的开关特性和高可靠性。此外，其高耐压能力（200V）和大电流容量（100A）使其适用于各种高功率密度设计。TO-247 封装提供了良好的散热性能，适用于需要高效热管理的应用。该 MOSFET 还具有较低的栅极电荷（Qg），有助于提高开关速度，减少开关损耗，适合用于高频开关电路。此外，IXTV102N20T 还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。
在可靠性方面，IXTV102N20T 设计上采用了先进的芯片钝化和封装技术，以确保在高温和高湿度环境下仍能维持稳定性能。该器件通过了 AEC-Q101 认证，适用于汽车电子、工业控制和可再生能源系统等高要求应用领域。此外，其低热阻（Rth）特性有助于减少热量积聚，提高器件寿命和系统的整体稳定性。
IXTV102N20T 广泛应用于各种高功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、工业电机驱动、电动汽车充电系统、光伏逆变器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率开关模块。其低导通电阻和高电流能力使其特别适用于需要高效能转换和高频开关操作的电路设计。在汽车电子领域，该器件可用于车载逆变器、DC-DC 转换器和电动助力转向系统（EPS）等关键部件。此外，它还可用于高功率 LED 驱动、电焊机和感应加热等应用场合。
IXFN100N20T, IXTP100N20N5, STP100N20F
