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IXTU8N70X2 发布时间 时间:2025/8/6 2:56:15 查看 阅读:14

IXTU8N70X2是一款由IXYS公司生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于高功率和高频率的电子电路中。该器件采用先进的平面MOSFET技术制造,具有优异的导通和开关性能。IXTU8N70X2的封装形式为TO-220,适用于多种工业和汽车电子应用。该器件的设计使其能够在高电压和高电流条件下稳定工作,同时保持较低的功耗。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):700V
  连续漏极电流(ID):8A
  栅源电压(VGS):±30V
  导通电阻(RDS(on)):典型值为0.95Ω
  最大功耗(PD):125W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-220

特性

IXTU8N70X2具有多项优异的电气和机械特性,使其在多种应用中表现出色。首先,该器件的高耐压能力(700V)使其适用于高电压环境,同时具备较高的电流承载能力(8A),可以满足高功率需求。其次,其导通电阻(RDS(on))较低,典型值为0.95Ω,这有助于降低导通损耗,提高系统效率。
  此外,IXTU8N70X2的栅源电压范围较宽(±30V),提高了其在不同驱动条件下的适用性。器件的封装形式为TO-220,这种封装不仅提供了良好的散热性能,还便于在PCB(印刷电路板)上安装和焊接。该器件的最大功耗为125W,能够在较高的温度环境下稳定运行,且工作温度范围为-55°C至150°C,适应各种严苛的工作条件。
  在可靠性方面,IXTU8N70X2具有较长的使用寿命,并具备较强的抗过载和短路能力。这使其在电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等应用中表现出色。

应用

IXTU8N70X2广泛应用于需要高电压和高功率处理能力的电子设备中。常见的应用包括电源管理模块、电机驱动电路、DC-DC转换器、UPS(不间断电源)、工业自动化设备以及汽车电子系统。在电源管理领域,该器件可以用于构建高效的开关电源,提供稳定的电压输出。在电机驱动电路中,IXTU8N70X2能够有效地控制电机的转速和扭矩。此外,该器件还适用于各种高频率开关应用,如逆变器和功率因数校正(PFC)电路。

替代型号

IXTP8N70X2, FQA8N70, FQP8N70

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IXTU8N70X2参数

  • 现有数量65现货
  • 价格1 : ¥32.91000管件
  • 系列Ultra X2
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)700 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)500 毫欧 @ 500mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)12 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)800 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)150W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-251-3
  • 封装/外壳TO-251-3 短截引线,IPak