类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：85V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：160A（在Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　最大功耗（Ptot）：300W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-247AC
　　引脚数：3
　　导通阈值电压（Vgs(th)）：2.0V至4.0V（在Id=250μA时）
　　漏极-源极击穿电压（BVDSS）：85V

IXTU50N085T的主要特性之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)）。这一特性使得该器件在高电流工作状态下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率并减少散热需求。Rds(on)的典型值为5.5mΩ，在Vgs=10V时可以实现非常高效的功率传输。
　　该MOSFET采用TO-247AC封装，具有良好的热管理能力，能够有效地将热量从芯片传导到散热片或其他散热装置。这种封装形式也便于安装和散热设计，适用于需要高功率密度和可靠性的应用。
　　IXTU50N085T的最大漏极电流可达160A，使其能够承受高负载条件下的电流需求。此外，该器件的栅极驱动电压范围为±20V，支持标准的10V或12V栅极驱动电路，兼容常见的MOSFET驱动器。
　　其导通阈值电压（Vgs(th)）为2.0V至4.0V，表明该器件可以在较低的栅极电压下开始导通，适用于低电压控制电路。同时，它具有较高的击穿电压（BVDSS）为85V，确保在高电压应用中具有良好的稳定性和安全性。
　　该MOSFET的工作温度范围为-55°C至175°C，适应广泛的环境条件，适用于工业级和汽车电子应用。

IXTU50N085T广泛应用于需要高功率密度和高效能的电子系统中。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统、UPS（不间断电源）、工业自动化设备以及各种电源管理模块。
　　在DC-DC转换器中，IXTU50N085T可作为主开关元件，实现高效的能量转换。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件能够显著降低功率损耗，提高转换效率。
　　在电机控制和驱动器应用中，IXTU50N085T可用于PWM（脉宽调制）控制电路，提供精确的电流控制和快速的开关响应，确保电机运行的稳定性和效率。
　　此外，该MOSFET也常用于电池管理系统中的充放电控制电路，能够在高电流条件下实现可靠的开关操作，保护电池组免受过流和短路的损害。
　　在工业自动化设备中，IXTU50N085T可用于电源开关、负载控制和功率分配电路，提供高效、可靠的功率管理解决方案。

IXTU50N085T的替代型号包括IXTP50N085T、IXTH50N085T、IRFP4468PbF、SiR872DP-T1-GE3