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IXTT90P10P 发布时间 时间:2025/8/6 11:25:58 查看 阅读:18

IXTT90P10P是一款由Littelfuse公司生产的高电压、高电流双极型晶体管(BJT),属于功率晶体管类别。该器件采用PNP结构设计,适用于需要高功率处理能力的电子电路中,例如电源管理、电机控制、工业自动化以及电力电子变换器等领域。IXTT90P10P具有较高的集电极-发射极击穿电压(VCEO)和较大的额定集电极电流(IC),能够在恶劣的电气环境下稳定工作。

参数

类型:PNP双极型晶体管
  最大集电极-发射极电压(VCEO):100 V
  最大集电极-基极电压(VCBO):100 V
  最大发射极-基极电压(VEBO):5 V
  最大集电极电流(IC):30 A
  最大功耗(PD):150 W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-247
  增益(hFE):在IC=6A时为50-150(分档)

特性

IXTT90P10P具有多项优良的电气和机械特性,使其适用于各种高功率应用场景。
  首先,该晶体管具有较高的VCEO和VCBO电压额定值,能够承受较大的电压应力,从而在高压环境下依然保持稳定的工作性能。这种高电压耐受能力使其适用于如DC-DC转换器、电机驱动电路以及工业电源等应用中。
  其次,IXTT90P10P的集电极电流额定值高达30A,能够处理较大的电流负载,适用于需要高电流驱动能力的场合。此外,该器件的功耗额定值为150W,具备良好的散热性能,确保在高功率工作条件下仍能维持较低的温度上升。
  再者,IXTT90P10P采用TO-247封装形式,具有良好的机械稳定性和热管理能力。这种封装方式不仅便于安装和散热,还能有效提高器件在高功率工作状态下的可靠性。
  最后,该晶体管的hFE(电流增益)在IC=6A时可达到50至150的范围,并根据不同的应用需求进行分档,确保在不同的工作条件下都能提供稳定的放大性能。这使得IXTT90P10P适用于需要精确电流控制的电路设计,例如开关电源、线性稳压器以及功率放大器等。

应用

IXTT90P10P广泛应用于多种高功率电子系统中,主要涉及以下几个方面。
  在电源管理系统中,该晶体管常用于开关电源、DC-DC转换器和稳压电路,其高电压和高电流处理能力使其能够有效地控制和调节电源输出。此外,在电机控制领域,IXTT90P10P可用于驱动直流电机或步进电机,适用于工业自动化设备、机器人控制以及电动工具等场景。
  在工业控制设备中,该器件可用于继电器驱动、负载开关和功率调节电路,确保设备在高负载条件下的稳定运行。同时,IXTT90P10P也适用于音频功率放大器的设计,尤其是在需要高输出功率的音响系统中,能够提供良好的信号放大效果。
  另外,该晶体管还可用于电池充电管理系统、不间断电源(UPS)和太阳能逆变器等新能源相关设备,帮助实现高效的能量转换和管理。

替代型号

IXTT90P10P的替代型号包括TIP142、BDW94C和MJL21194。这些晶体管在电气特性和封装形式上与IXTT90P10P相近,可以在设计中作为备选方案使用,但需要根据具体电路要求进行评估和适配。

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IXTT90P10P参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PolarP™
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C90A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫欧 @ 45A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs120nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5800pF @ 25V
  • 功率 - 最大462W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
  • 供应商设备封装TO-268
  • 包装管件