IXTT68P20T 时间：2025/8/6 7:43:17 阅读：22

IXTT68P20T 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）制造的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率功率转换应用，具有低导通电阻、高耐压能力和出色的热性能。IXTT68P20T 采用 TO-263（D2Pak）封装，便于在各种功率电子系统中使用，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器和负载开关等。该器件的漏源击穿电压为 200V，连续漏极电流可达 68A，具备良好的电流处理能力和热稳定性。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：200V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：68A（在 Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：270A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤22mΩ（在 Vgs=10V）
　　栅极电荷（Qg）：165nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：2300pF（典型值）
　　封装形式：TO-263（D2Pak）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

IXTT68P20T 的核心特性在于其低导通电阻（Rds(on)），该特性显著降低了导通损耗，提高了整体系统的效率。此外，该器件具备高耐压能力（200V），适用于中高压功率转换应用。其高电流承载能力（68A 连续漏极电流）使其适用于高功率密度设计。
　　该 MOSFET 使用先进的沟槽栅技术，优化了开关性能，减少了开关损耗，从而提高了整体能效。TO-263 封装具备良好的散热性能，有助于在高负载条件下维持较低的结温，提高可靠性。
　　此外，IXTT68P20T 具备高雪崩能量耐受能力，能够在突发短路或瞬态条件下保持稳定工作，提升了系统的鲁棒性。该器件还具备出色的热稳定性，在高温环境下仍能维持稳定的性能表现，适合工业级和汽车电子应用。
　　由于其低栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），该 MOSFET 可实现快速开关，适用于高频开关电源和电机控制应用。同时，该器件的栅极驱动要求较低，便于与标准驱动电路配合使用。

应用

IXTT68P20T 主要应用于中高压功率转换系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、工业自动化设备、电池管理系统和高功率负载开关等。其高耐压、低导通电阻和高电流能力使其在高效能电源设计中表现出色。
　　该器件也常用于电动汽车充电系统、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及各种工业和消费类电子产品中的功率控制模块。由于其良好的热稳定性和可靠性，IXTT68P20T 也适用于要求高可靠性的工业和汽车电子系统。