时间：2025/8/5 15:53:28
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IXTT38N30L2HV是一款由Littelfuse（原IXYS）制造的高电压功率MOSFET，采用先进的高压技术，适用于需要高效率和高可靠性的电源应用。该MOSFET具有较低的导通电阻、高电流处理能力和优异的热性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：300V
连续漏极电流(Id)：38A
导通电阻(Rds(on))：典型值为40mΩ
栅极电荷(Qg)：180nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-247
IXTT38N30L2HV具备低导通电阻特性，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
该器件的高电流能力使其适用于大功率应用，如电源转换器、电机驱动和工业控制系统。
其高压耐受能力（300V）使其适用于高电压输入环境，如AC-DC电源转换器和PFC电路。
器件的TO-247封装提供良好的散热性能，确保在高温环境下稳定运行。
此外，该MOSFET具有低栅极电荷，有助于减少开关损耗，提高高频应用的性能。
IXTT38N30L2HV广泛应用于开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、DC-DC转换器、UPS系统、电机控制、变频器以及工业自动化设备中的功率控制模块。
由于其高电压耐受能力和高效率特性，该器件特别适合用于功率因数校正（PFC）电路和高功率密度电源设计。
在新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电系统中，IXTT38N30L2HV也具有广泛的应用潜力。
IXFH38N30Q2, IXFN38N30H, IRFP4668, SiHP38N30D
