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IXTT1N300P3HV 发布时间 时间:2025/8/5 23:40:21 查看 阅读:19

IXTT1N300P3HV是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由IXYS公司制造。这款MOSFET主要用于高电压和高电流应用,适用于电源管理和功率转换电路。其设计提供了高效能和高可靠性,适合在各种工业和汽车电子系统中使用。

参数

类型:MOSFET
  最大漏极电流:1A
  最大漏极-源极电压:300V
  导通电阻:300mΩ
  封装类型:TO-220
  工作温度范围:-55°C至150°C
  栅极-源极电压:±20V
  功耗:40W

特性

IXTT1N300P3HV具有低导通电阻,这使得它在高电流条件下能够保持较低的功率损耗,从而提高系统的整体效率。其高电压能力使其非常适合用于高电压电源转换应用,如电源供应器和电机控制电路。此外,该MOSFET的封装设计提供了良好的散热性能,确保了在高负载条件下的稳定运行。
  该器件的另一个重要特性是其耐用性和可靠性。IXTT1N300P3HV能够在恶劣的环境条件下运行,如高温和高湿度环境。它还具有良好的抗静电放电(ESD)能力,能够有效防止静电对器件的损害。这些特性使得IXTT1N300P3HV在工业自动化、汽车电子和可再生能源系统中得到了广泛应用。
  此外,IXTT1N300P3HV的栅极驱动要求较低,可以在较宽的栅极电压范围内正常工作,这简化了驱动电路的设计,并降低了系统的复杂性。同时,该器件的快速开关特性有助于减少开关损耗,提高系统的动态响应能力。这些特性使得IXTT1N300P3HV成为一款性能优越的功率MOSFET器件。

应用

IXTT1N300P3HV常用于各种高电压和高电流的应用,包括电源供应器、马达控制器、电池充电器和逆变器等。它特别适用于需要高效能和高可靠性的工业设备和汽车电子系统。此外,该MOSFET也广泛应用于可再生能源系统,如太阳能逆变器和风力发电设备。

替代型号

IXTT1N300P3HVR

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IXTT1N300P3HV参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥322.61000管件
  • 系列Polar P3?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)3000 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)50 欧姆 @ 500mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)30.6 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)895 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)195W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-268HV(IXTT)
  • 封装/外壳TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA