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IXTT12N150 发布时间 时间:2025/7/21 18:04:05 查看 阅读:9

IXTT12N150 是一款由 IXYS 公司制造的高电压、高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高电压、高电流的电力电子应用中。该器件具备高耐压能力和较高的导通性能,适用于开关电源、逆变器、电机控制、照明系统、工业自动化设备以及各种高电压功率转换系统中。IXTT12N150 的设计优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡,使其在高频率开关操作下依然保持较高的效率和稳定性。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏极电流(ID):12A(最大)
  漏源击穿电压(VDS):1500V
  栅源电压(VGS):±30V
  导通电阻(RDS(on)):典型值 1.8Ω(最大 2.4Ω)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-247

特性

IXTT12N150 的主要特性之一是其出色的高电压承受能力,能够在高达 1500V 的漏源电压下稳定工作,适用于高电压功率转换系统。该器件的导通电阻相对较低,在 12A 电流下仅约 1.8Ω,有助于降低导通损耗,提高整体系统效率。此外,该 MOSFET 具有良好的热稳定性和抗过载能力,能够在较高温度环境下运行,适用于严苛的工业环境。
  该器件采用 TO-247 封装,具有良好的散热性能,便于在高功率应用中进行热管理。其栅极驱动电压范围较宽,可在 ±30V 范围内工作,增强了与不同驱动电路的兼容性。IXTT12N150 还具有快速开关能力,适用于高频开关应用,其开关损耗较低,有助于提升整体系统的能效。
  从可靠性角度看,IXTT12N150 采用了先进的制造工艺和封装技术,具有较长的使用寿命和良好的抗老化性能。这使得它在要求高可靠性的工业设备、电源系统和照明设备中表现优异。

应用

IXTT12N150 广泛应用于多种高电压、高功率场景。例如,在开关电源(SMPS)中,该器件可用作主开关元件,负责将输入电压转换为所需的输出电压,同时保持较高的转换效率。在逆变器系统中,如太阳能逆变器或不间断电源(UPS)中,该 MOSFET 可用于实现直流到交流的能量转换,支持高电压输入和高效率输出。
  此外,该器件还可用于电机控制电路中,特别是在高压直流电机驱动器或变频器中,作为功率开关使用。在照明系统中,特别是高压气体放电灯(HID)或 LED 驱动器中,IXTT12N150 也可用于实现高效率的电源转换和调光控制。
  工业自动化设备、测试设备和功率因数校正(PFC)电路也是该器件的常见应用场景。由于其良好的热稳定性和高效的导通性能,IXTT12N150 在这些领域中能够提供稳定可靠的性能。

替代型号

IXTT16N150, IXTP14N150, IXTH14N150

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IXTT12N150参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥135.70000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)1500 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)12A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2 欧姆 @ 6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)106 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3720 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)890W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-268AA
  • 封装/外壳TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA