型号：IXTT10N100D2
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源击穿电压（V(BR)DSS）：1000 V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：4.5 V（典型值）
　　连续漏极电流（ID @ 25°C）：10 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：40 A
　　最大漏源导通电阻（RDS(on) @ VGS = 10V）：1.0 Ω
　　栅极电荷（Qg）：63 nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1100 pF（典型值）
　　输出电容（Coss）：130 pF（典型值）
　　反向恢复电荷（Qrr）：280 nC（典型值）
　　二极管反向恢复时间（trr）：45 ns（典型值）
　　工作结温范围（Tj）：-55 至 +150 °C
　　封装类型：TO-247

IXTT10N100D2采用英飞凌专有的CoolMOS? CFD2技术，这是一种基于超级结结构的创新设计，通过精确控制P型和N型掺杂区域的交替排列，显著降低导通电阻RDS(on)，同时维持高击穿电压能力。这种结构打破了传统硅MOSFET的“硅极限”，实现了更优的品质因数（FOM = RDS(on) × Qg），从而在高压应用中提供更高的效率和功率密度。该器件的RDS(on)仅为1.0Ω，在1000V耐压等级中属于领先水平，有助于减少导通损耗，提升整体能效。
　　集成的快速恢复体二极管是IXTT10N100D2的一大亮点。与标准MOSFET中缓慢且损耗大的体二极管不同，该器件优化了二极管的载流子寿命，大幅降低了反向恢复电荷Qrr（典型值280nC）和反向恢复时间trr（45ns），有效抑制了开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高了系统的可靠性。这一特性尤其有利于硬开关拓扑如PFC（功率因数校正）升压电路和LLC谐振转换器中的续流阶段。
　　该MOSFET具备出色的动态性能，其栅极电荷Qg低至63nC，意味着驱动电路所需功耗较小，可使用低成本的驱动器实现快速开关。同时，输入和输出电容的平衡设计有助于减少开关损耗，支持更高频率的操作，缩小磁性元件体积。TO-247封装提供了优良的散热性能，确保在高功率密度设计中结温保持在安全范围内。此外，器件具有良好的雪崩能量耐受能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。

IXTT10N100D2广泛应用于各类高电压、高效率的开关电源系统中。在工业电源领域，常用于大功率AC-DC整流模块和高压DC-DC转换器，作为主开关或同步整流器件，其高耐压和低导通损耗特性有助于提高系统效率并降低散热需求。在太阳能光伏逆变器中，该MOSFET可用于直流侧升压电路（Boost PFC），将不稳定的太阳能板输出电压升至稳定的母线电压，其快速恢复二极管可减少反向恢复损耗，提升逆变器整体效率。
　　在LED照明驱动电源中，特别是大功率户外LED灯具或商业照明系统，IXTT10N100D2适用于有源功率因数校正（PFC）级，帮助满足IEC 61000-3-2等谐波标准。其高可靠性确保了灯具在长期运行中的稳定性。此外，该器件也适用于电动汽车车载充电机（OBC）和直流充电桩中的辅助电源或隔离式DC-DC模块，其宽温度范围和高抗扰能力适应严苛的汽车环境。
　　其他应用还包括高压电机驱动、不间断电源（UPS）、医疗电源设备以及工业加热控制系统。由于其集成快速恢复二极管，可简化电路设计，省去外接快恢复二极管的需求，节省PCB空间并降低成本。在桥式拓扑或半桥拓扑中，该器件的优异开关特性和低Qrr使其成为理想的候选方案，尤其适用于连续导通模式（CCM）PFC和硬开关全桥转换器。

IPP60R190CFD7
　　STL10N100D2
　　IPW60R028E