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IXTR200N10P 发布时间 时间:2023/3/6 11:12:52 查看 阅读:257

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:Polar?

 


目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:Polar?

    FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 特点:标准型

    开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:8 毫欧 @ 60A, 10V

    漏极至源极电压(Vdss):100V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:120A

    Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 500?A

    闸电荷(Qg) @ Vgs:235nC @ 10V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) :7600pF @ 25V

    功率 - 最大:300W

    安装类型:通孔

    封装/外壳:ISOPLUS247?

    包装:管件

    供应商设备封装:*


资料

厂商
IXYS

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IXTR200N10P参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列Polar™ HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C120A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 毫欧 @ 60A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 500µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs235nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds7600pF @ 25V
  • 功率 - 最大300W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳ISOPLUS247?
  • 供应商设备封装ISOPLUS247?
  • 包装管件