时间：2025/8/6 6:23:20
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IXTR102N65X2 是一款由英飞凌（Infineon）生产的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率、高效率的电源转换应用。该器件采用了先进的CoolMOS?技术，提供了卓越的导通和开关性能，使其在高频开关电源中表现出色。IXTR102N65X2具有高击穿电压（650V）和较大的连续漏极电流能力，适用于各种工业和消费类电源系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：650V
连续漏极电流（ID）：102A
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约6.5mΩ（典型值）
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C至175°C
技术：CoolMOS?
IXTR102N65X2 的核心优势在于其基于CoolMOS?技术的高性能。该技术使得MOSFET在导通状态下的电阻极低，从而减少了导通损耗并提高了整体效率。此外，该器件的高耐压能力（650V）使其适用于高压电源转换器和功率因数校正（PFC）电路。其低栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss）显著降低了开关损耗，使其在高频操作中表现优异。该MOSFET还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
该器件的另一个重要特性是其坚固的封装设计，采用TO-247封装，具备良好的散热性能和机械稳定性。这种封装形式广泛应用于高功率密度设计中，能够有效管理热量并延长器件寿命。同时，IXTR102N65X2 具有良好的短路耐受能力，能够在异常工作条件下提供额外的安全裕度，确保系统稳定运行。
在可靠性方面，IXTR102N65X2 符合工业级标准，适用于严苛的工作环境。它具有良好的抗静电能力和过热保护性能，能够在长时间运行中保持稳定的电气特性。
IXTR102N65X2 主要用于高功率电源系统，如服务器电源、电信电源、工业电源和太阳能逆变器。其高效能和高可靠性也使其成为电动汽车充电设备、电池管理系统和功率因数校正（PFC）电路的理想选择。此外，该器件还可用于电机驱动、不间断电源（UPS）系统以及各种高频率DC-DC转换器。
IXTR102N65X2KSA1，SPW47N65CFD，IPW60R070C7
