IXTQ98N20T 时间：2025/8/6 10:49:09 阅读：21

IXTQ98N20T 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电流、高电压的功率电子应用。这款 MOSFET 采用 TO-247 封装，具有低导通电阻、高效率和高可靠性等特点，适合用于开关电源（SMPS）、电机控制、逆变器、DC-DC 转换器以及工业自动化系统等领域。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 (Vds)：200V
　　最大漏极电流 (Id)：98A（在 Tc=25°C 下）
　　导通电阻 (Rds(on))：最大 16mΩ（在 Vgs=10V）
　　栅极阈值电压 (Vgs(th))：2.1V 至 4.0V（在 Id=1mA）
　　最大功耗 (Ptot)：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXTQ98N20T 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。该器件采用了先进的沟道技术和优化的封装设计，使其能够在高电流下稳定工作，同时保持较低的温升。此外，该 MOSFET 提供快速的开关性能，有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。
　　该器件还具有良好的热稳定性，其 TO-247 封装具备优异的散热性能，能够有效将热量传导至散热器或 PCB 上。此外，IXTQ98N20T 的设计考虑了高雪崩能量耐受能力，增强了其在突发过压或电感负载切换时的鲁棒性，适用于严苛的工业环境。
　　IXTQ98N20T 还具备高 dv/dt 耐受能力，防止因快速电压变化引起的误触发和损坏，提高了系统的稳定性和可靠性。其栅极驱动要求适中，兼容常见的驱动电路，便于集成到各种功率电子系统中。

应用

IXTQ98N20T 广泛应用于各种高功率密度和高效率的电子系统中，例如开关电源（如服务器电源、工业电源）、DC-DC 转换器、逆变器、UPS（不间断电源）、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及太阳能逆变器等。由于其优异的导通特性和热管理性能，它也适用于需要高可靠性和高效率的工业自动化设备和电动车辆系统。