IXTQ88N30T 时间：2025/8/6 8:05:32 阅读：26

IXTQ88N30T 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用 TO-247 封装，具备低导通电阻、高耐压和高电流能力，适合用于电源转换、电机控制、逆变器和其他功率电子设备中。IXTQ88N30T 的最大漏源电压（VDS）为 300V，最大漏极电流（ID）可达 88A，能够提供高效、可靠的功率控制。

参数

最大漏源电压（VDS）：300V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大漏极电流（ID）：88A
　　导通电阻（RDS(on)）：40mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散（PD）：400W

特性

IXTQ88N30T 具备多项优良特性，使其适用于高功率应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）仅为 40mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具有较高的电流承载能力，额定漏极电流可达 88A，适用于高功率密度设计。此外，IXTQ88N30T 的最大漏源电压为 300V，能够在高压环境下稳定工作。该 MOSFET 还具备良好的热稳定性，采用 TO-247 封装有利于散热，从而提升整体可靠性。此外，其栅极驱动电压范围宽，支持常见的 10V 至 15V 驱动电压，便于与各类驱动电路兼容。最后，该器件具备快速开关能力，适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器、电源模块和逆变器等。
　　在可靠性方面，IXTQ88N30T 设计有雪崩能量保护功能，能够在过电压或瞬态条件下提供额外的保护，防止器件损坏。其热阻（Rth）较低，有助于减少温升，延长使用寿命。此外，该 MOSFET 的封装材料符合 RoHS 标准，适用于环保型电子产品设计。

应用

IXTQ88N30T 广泛应用于多种高功率电子系统中。常见的用途包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）、电机驱动器、工业自动化设备、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及各种高功率音频放大器。由于其具备高电流能力和低导通电阻，该器件特别适合用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统。此外，该 MOSFET 也可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路，以及工业控制设备中的功率开关模块。