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IXTQ88N15 发布时间 时间:2025/8/6 4:45:54 查看 阅读:28

IXTQ88N15 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高电流和高功率的应用场景。该器件设计用于高效能的电源管理、电机控制、逆变器、焊接设备以及其他需要大电流开关的工业设备中。其高电流容量和低导通电阻使其在高温和高负载条件下依然保持良好的性能。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏极电流(ID):88A
  漏源电压(VDS):150V
  栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):最大值 18mΩ
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-247

特性

IXTQ88N15 具备多项优异特性,使其适用于高功率应用。首先,其低导通电阻(RDS(on))可降低导通损耗,提高整体系统效率。其次,该 MOSFET 采用先进的平面技术,提供更高的热稳定性和可靠性。此外,其封装形式为 TO-247,便于散热和安装,适用于高功率密度的设计。该器件还具备良好的抗雪崩能力和过载耐受能力,适用于苛刻的工业环境。最后,其宽泛的栅极电压范围(±20V)允许使用标准的驱动电路,提高了设计的灵活性。
  在热管理方面,IXTQ88N15 具备较高的热阻(Rth)性能,能够有效控制温升,确保在高负载条件下稳定运行。同时,该器件具备良好的短路耐受能力,能够在瞬态故障条件下保持稳定,提高系统的安全性。此外,IXTQ88N15 的制造工艺符合 RoHS 标准,支持环保设计。

应用

IXTQ88N15 广泛应用于多个高功率电子系统中。在电源转换系统中,它可用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源供应器和不间断电源(UPS)等,提高转换效率并减少能量损耗。在电机驱动系统中,该 MOSFET 可用于控制直流电机或无刷直流电机(BLDC)的运行,实现高效的电机控制。此外,它也适用于逆变器系统,如太阳能逆变器和电动车逆变器,提供高效率的功率转换能力。焊接设备中也可采用该器件,以实现对焊接电流的精确控制。工业自动化控制系统、电池管理系统(BMS)以及高功率 LED 照明驱动电路也是其典型应用领域。

替代型号

IXTQ88N15X2, IXTQ88P15, IRFP4668, SiHF88N15

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IXTQ88N15参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C88A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C-
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)-
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商设备封装TO-3P
  • 包装管件